产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC039N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC039N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC039N06NS
BSC039N06NS-ND
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7240TRPBF
仓库库存编号：
IRF7240TRPBFCT-ND
别名：IRF7240TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC BRIDGE RECT 4A 1000V D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole D3K
型号：
UD4KB100-BP
仓库库存编号：
UD4KB100-BPMS-ND
别名：UD4KB100
UD4KB100-BPMS
UD4KB100MS
UD4KB100MS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） SuperSO8
型号：
BSC014N04LS
仓库库存编号：
BSC014N04LSCT-ND
别名：BSC014N04LS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 3A 132MHz 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号：
ZXT12N50DXTA
仓库库存编号：
ZXT12N50DXCT-ND
别名：ZXT12N50DXCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19534Q5AT
仓库库存编号：
296-37838-1-ND
别名：296-37838-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 17.5V 5A SM8
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 17.5V 5A 150MHz 2.75W Surface Mount SM8
型号：
ZDT1048TA
仓库库存编号：
ZDT1048CT-ND
别名：ZDT1048
ZDT1048CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7343QTR
仓库库存编号：
AUIRF7343QCT-ND
别名：AUIRF7343QCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R380C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.85A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4490DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4490DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4490DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7633DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7633DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7633DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 349W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R9-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1858-1-ND
别名：1727-1858-1
568-11554-1
568-11554-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ916DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ916DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ916DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 3A 400V KBPM
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole KBPM
型号：
3KBP04M-E4/51
仓库库存编号：
3KBP04M-E4/51GI-ND
别名：3KBP04M-E4/51-ND
3KBP04M-E4/51GI
3KBP04ME451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ900DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ900DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ900DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），171A（Tc） 950mW（Ta），96.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4897NFT1G
仓库库存编号：
NTMFS4897NFT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4897NFT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 4A 1000V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4M-BP
仓库库存编号：
GBU4M-BPMS-ND
别名：GBU4M-BPMS
GBU4MBP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 60V 10A TO220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 75W Through Hole TO-220AB
型号：
MJE3055TG
仓库库存编号：
MJE3055TGOS-ND
别名：MJE3055TGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 10A TO220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220AB
型号：
D44H11G
仓库库存编号：
D44H11GOS-ND
别名：D44H11GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 10A TO220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220AB
型号：
D45H11G
仓库库存编号：
D45H11GOS-ND
别名：D45H11GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 10A TO220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220AB
型号：
D45H8G
仓库库存编号：
D45H8GOS-ND
别名：D45H8GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
型号：
CSD87588NT
仓库库存编号：
296-37753-1-ND
别名：296-37753-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBL
型号：
GBL01-E3/45
仓库库存编号：
GBL01-E3/45-ND
别名：GBL01E345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole GBL
型号：
GBL06-E3/45
仓库库存编号：
GBL06-E3/45GI-ND
别名：GBL06-E3/45-ND
GBL06-E3/45GI
GBL06E345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7434DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7434DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7434DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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