产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 8.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NVF6P02T3G
仓库库存编号:
NVF6P02T3GOSCT-ND
别名:NVF6P02T3GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 1A 1000V DB
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DB
型号:
DB107-G
仓库库存编号:
641-1685-ND
别名:641-1685
DB107-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9358TRPBF
仓库库存编号:
IRF9358TRPBFCT-ND
别名:IRF9358TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR410DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR410DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR410DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 45V 0.5A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
PN100A
仓库库存编号:
PN100A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN6A11DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A11DN8CT-ND
别名:ZXMN6A11DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N80TM
仓库库存编号:
FQD2N80TMCT-ND
别名:FQD2N80TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN10A08DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN10A08DN8TACT-ND
别名:ZXMN10A08DN8TACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 1A 400V DB-1
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Through Hole DB-1
型号:
DB104-BP
仓库库存编号:
DB104-BPMS-ND
别名:DB104-BPMS
DB104BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),96W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19533Q5A
仓库库存编号:
296-37479-1-ND
别名:296-37479-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),80A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6246
仓库库存编号:
785-1337-1-ND
别名:785-1337-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 400V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Through Hole DFM
型号:
DF04M-E3/45
仓库库存编号:
DF04M-E3/45GI-ND
别名:DF04M-E3/45-ND
DF04M-E3/45GI
DF04ME345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4202DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4202DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4202DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 1A 100V DB-1
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DB-1
型号:
DB102-BP
仓库库存编号:
DB102-BPMS-ND
别名:DB102-BPMS
DB102BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS890DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 47A(Ta),85A(Tc) 7.3W(Ta),156W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6411
仓库库存编号:
785-1495-1-ND
别名:785-1495-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 2A 1000V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole WOG
型号:
2W10G-E4/51
仓库库存编号:
2W10G-E4/51GI-ND
别名:2W10G
2W10G-E4/51-ND
2W10G-E4/51GI
2W10G/1
2W10G/1-ND
2W10GE451
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 800V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole WOG
型号:
W08G-E4/51
仓库库存编号:
W08G-E4/51GI-ND
别名:W08G-E4/1
W08G-E4/1-ND
W08G-E4/1GI
W08G-E4/1GI-ND
W08G-E4/1TR
W08G-E4/1TR-ND
W08G-E4/51GI
W08GE4/51GI-ND
W08GE451
W08GHE4/51
W08GHE4/51GI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 50V 4SMD
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF005S-E3/45
仓库库存编号:
DF005S-E3/45GI-ND
别名:DF005S-E3/45-ND
DF005S-E3/45GI
DF005SE345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.7A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4090DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4090DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4090DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ097N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ097N10NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS5DNF60L
仓库库存编号:
497-15672-1-ND
别名:497-15672-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ042N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ042N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ042N06NS
BSZ042N06NS-ND
BSZ042N06NSATMA1CT
BSZ042N06NSCT
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