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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：C2M1000170J
  仓库库存编号：C2M1000170J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP6N120K3
  仓库库存编号：497-12123-ND
  别名：497-12123
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 100V 500mA 40MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：FMMT415TD
  仓库库存编号：FMMT415TDCT-ND
  别名：FMMT415TDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ52P10P
  仓库库存编号：IXTQ52P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8.3A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW11NK100Z
  仓库库存编号：497-3255-5-ND
  别名：497-3255-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW6N120K3
  仓库库存编号：497-12124-ND
  别名：497-12124
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 97W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C3M0120090D
  仓库库存编号：C3M0120090D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP20N60
  仓库库存编号：FCP20N60-ND
  别名：FCP20N60_NL
  FCP20N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NK90Z
  仓库库存编号：497-3557-5-ND
  别名：497-3557-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF21N90K5
  仓库库存编号：497-12853-5-ND
  别名：497-12853-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB60A
  仓库库存编号：26MB60A-ND
  别名：*26MB60A
  26MB60A
  VS-26MB60A-ND
  VS26MB60A
  VS26MB60A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60F
  仓库库存编号：FCH072N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT7M120B
  仓库库存编号：APT7M120B-ND
  别名：APT7M120BMI
  APT7M120BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 54A 347W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GT120BRG
  仓库库存编号：APT25GT120BRG-ND
  别名：APT25GT120BRGMI
  APT25GT120BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW75NF30
  仓库库存编号：497-8463-5-ND
  别名：497-8463-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N50P3
  仓库库存编号：IXFH60N50P3-ND
  别名：625876
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 463W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
  
  型号：HGTG30N60A4D
  仓库库存编号：HGTG30N60A4D-ND
  别名：HGTG30N60A4D_NL
  HGTG30N60A4D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
  详细描述：Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
  
  型号：TC8020K6-G
  仓库库存编号：TC8020K6-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C2M0160120D
  仓库库存编号：C2M0160120D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60F
  仓库库存编号：FCH041N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48P20P
  仓库库存编号：IXTH48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P60P
  仓库库存编号：IXTH16P60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 50A
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
  
  型号：STW56N60DM2
  仓库库存编号：497-16341-5-ND
  别名：497-16341-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C3M0065090D
  仓库库存编号：C3M0065090D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 60A
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW65N65DM2AG
  仓库库存编号：497-16127-5-ND
  别名：497-16127-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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