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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR872ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR872ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR872ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7370DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7370DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7370DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7846DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7846DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7846DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 10A 75W DPAK
  详细描述：IGBT 1200V 10A 75W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD5NB120SZT4
  仓库库存编号：497-4352-1-ND
  别名：497-4352-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 2.4W（Ta），48W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC610P
  仓库库存编号：FDMC610PCT-ND
  别名：FDMC610PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 18.5A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6242
  仓库库存编号：785-1335-1-ND
  别名：785-1335-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 10A DPAK
  详细描述：IGBT 600V 18A 62.5W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD10HF60KD
  仓库库存编号：497-15309-1-ND
  别名：497-15309-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 9A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86160
  仓库库存编号：FDMC86160CT-ND
  别名：FDMC86160CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL3NM60N
  仓库库存编号：497-13351-1-ND
  别名：497-13351-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R0-40YLDX
  仓库库存编号：1727-1856-1-ND
  别名：1727-1856-1
  568-11552-1
  568-11552-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR662DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR662DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR662DP-T1-GE3CT
  SIR662DPCT
  SIR662DPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7478DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7478DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7478DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7450DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7450DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7450DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7450DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7450DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7450DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7252DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7252DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7252DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7469DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7469DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7469DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7942DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7942DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7942DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86263P
  仓库库存编号：FDMS86263PCT-ND
  别名：FDMS86263PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4126DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4126DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4126DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），75A（Tc） 2.4W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8010
  仓库库存编号：FDMC8010CT-ND
  别名：FDMC8010CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87353Q5D
  仓库库存编号：296-29661-1-ND
  别名：296-29661-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR826ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3NK80Z
  仓库库存编号：497-4342-5-ND
  别名：497-4342-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4838DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4838DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4838DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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