以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080P03LS G
  仓库库存编号：BSC080P03LS GCT-ND
  别名：BSC080P03LS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta） 3.5W（Ta），125W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4210DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4210DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4210DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R299CP
  IPI50R299CP-ND
  SP000523748
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R250CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R250CP
  IPI50R250CP-ND
  SP000523750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R180P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R180P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R180P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R225C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R280P6FKSA1-ND
  别名：SP001017086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R190C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R190C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R190C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3717
  仓库库存编号：IRF3717-ND
  别名：*IRF3717
  SP001561700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R230P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R230P6FKSA1-ND
  别名：SP001017088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60C3
  仓库库存编号：SPB20N60C3INCT-ND
  别名：SPB20N60C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD2N95K5
  仓库库存编号：497-14266-1-ND
  别名：497-14266-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 38W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL4N80K5
  仓库库存编号：497-14060-1-ND
  别名：497-14060-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4N80K5
  仓库库存编号：497-14033-1-ND
  别名：497-14033-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3PK50Z
  仓库库存编号：497-12121-1-ND
  别名：497-12121-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD13N60M2
  仓库库存编号：497-13862-1-ND
  别名：497-13862-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6N95K5
  仓库库存编号：497-12852-1-ND
  别名：497-12852-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD7NM80
  仓库库存编号：497-8807-1-ND
  别名：497-8807-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB20N95K5
  仓库库存编号：497-12850-1-ND
  别名：497-12850-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NK100Z
  仓库库存编号：497-3556-5-ND
  别名：497-3556-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002K-T1-E3
  仓库库存编号：2N7002K-T1-E3CT-ND
  别名：2N7002K-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：2N7002WT1G
  仓库库存编号：2N7002WT1GOSCT-ND
  别名：2N7002WT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：BSS138LT1G
  仓库库存编号：BSS138LT1GOSCT-ND
  别名：BSS138LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138
  仓库库存编号：BSS138CT-ND
  别名：BSS138CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索