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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6BKMA1-ND
  别名：SP000931534
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R1K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R1K4P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 73W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R380CE
  仓库库存编号：IPD50R380CECT-ND
  别名：IPD50R380CECT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7328TRPBF
  仓库库存编号：IRF7328PBFCT-ND
  别名：*IRF7328TRPBF
  IRF7328PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3
  仓库库存编号：SPD04N50C3INCT-ND
  别名：SPD04N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ075N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.1A（Tc） 119W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD50R280CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7410TRPBF
  仓库库存编号：IRF7410TRPBFCT-ND
  别名：IRF7410TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5104TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5104TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5104TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6
  仓库库存编号：IPD60R450E6CT-ND
  别名：IPD60R450E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32 H
  仓库库存编号：BUZ32 H-ND
  别名：BUZ32H
  BUZ32HXKSA1
  SP000682998
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO080P03S H
  仓库库存编号：BSO080P03S HCT-ND
  别名：BSO080P03S HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.6A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N03SG
  仓库库存编号：BSC079N03SGINCT-ND
  别名：BSC079N03SGINCT
  BSC079N03SGXTINCT
  BSC079N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R900P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R399CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R399CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R399CP
  IPA50R399CP-ND
  SP000234987
  
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  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP50R399CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R399CPXKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R399CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R399CPXKSA1-ND
  别名：SP000680738
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R380C6
  仓库库存编号：IPB60R380C6CT-ND
  别名：IPB60R380C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R330P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R330P6XKSA1-ND
  别名：SP001017074
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R350CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R350CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R350CP
  IPA50R350CP-ND
  SP000236078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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