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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 478mW（Ta）, 8.36W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV55ENEAR
  仓库库存编号：1727-2534-1-ND
  别名：1727-2534-1
  568-12973-1
  568-12973-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），29A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
  
  型号：IRFH3707TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH3707TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH3707TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 510mW（Ta）, 3.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV50ENEAR
  仓库库存编号：1727-2533-1-ND
  别名：1727-2533-1
  568-12972-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.8W（Ta），25W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8337TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8337TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8337TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV32UP,215
  仓库库存编号：1727-1153-1-ND
  别名：1727-1153-1
  568-10321-1
  568-10321-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP324H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP324H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 530mW（Ta），8.33W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN27XPE,115
  仓库库存编号：1727-1356-1-ND
  别名：1727-1356-1
  568-10798-1
  568-10798-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP373NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP373NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP297H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP297H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP297H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD50R500CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R4K5P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R4K5P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5303TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5303TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5303TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03LSGINCT
  BSZ088N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9317TRPBF
  仓库库存编号：IRF9317TRPBFCT-ND
  别名：IRF9317TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 13W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R4K5P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R4K5P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R4K5P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO065N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO065N03MS GINCT
  BSO065N03MS GINCT-ND
  BSO065N03MSG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP130,115
  仓库库存编号：1727-4928-1-ND
  别名：1727-4928-1
  568-6220-1
  568-6220-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0902NS
  仓库库存编号：BSC0902NSCT-ND
  别名：BSC0902NSCT
  
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  MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7424TRPBF
  仓库库存编号：IRF7424PBFCT-ND
  别名：*IRF7424TRPBF
  IRF7424PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R2K0P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R2K0P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP299H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP299H6327XUSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB02N60S5INCT
  SPB02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），82A（Tc） 2.5W（Ta），29W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC026NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC026NE2LS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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