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• Global Power Technologies Group
  IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 120A 680W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHIS060A120S-A2
  仓库库存编号：1560-1132-5-ND
  别名：1560-1132
  1560-1132-5
  1560-1132-ND
  GHIS060A120SA2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150HV
  仓库库存编号：IXTT12N150HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN62N80Q3
  仓库库存编号：IXFN62N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 82A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N50Q3
  仓库库存编号：IXFN100N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80Q3
  仓库库存编号：IXFN44N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 28A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N100Q3
  仓库库存编号：IXFN32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 160A 480W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHIS080A120S-A2
  仓库库存编号：1560-1134-5-ND
  别名：1560-1134
  1560-1134-5
  1560-1134-ND
  GHIS080A120SA2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTX4N300P3HV
  仓库库存编号：IXTX4N300P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTX1R4N450HV
  仓库库存编号：IXTX1R4N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTX6N200P3HV
  仓库库存编号：IXTX6N200P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 15A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS015A120S-D1E
  仓库库存编号：1560-1140-5-ND
  别名：1560-1140
  1560-1140-5
  1560-1140-ND
  GHXS015A120SD1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 15A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS015A120S-D1
  仓库库存编号：1560-1139-5-ND
  别名：1560-1139
  1560-1139-5
  1560-1139-ND
  GHXS015A120SD1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1R4N450
  仓库库存编号：IXTF1R4N450-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL1001J
  仓库库存编号：APL1001J-ND
  别名：APL1001JMI
  APL1001JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta），1.06W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：NX3020NAK,215
  仓库库存编号：1727-1285-1-ND
  别名：1727-1285-1
  568-10504-1
  568-10504-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 770mW（Ta） SC-73
  
  型号：PMT280ENEAX
  仓库库存编号：1727-2724-1-ND
  别名：1727-2724-1
  568-13288-1
  568-13288-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 260mA 285mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
  
  型号：NX7002BKXBZ
  仓库库存编号：1727-2254-1-ND
  别名：1727-2254-1
  568-12540-1
  568-12540-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK7880-55/CUF
  仓库库存编号：1727-2460-1-ND
  别名：1727-2460-1
  568-12759-1
  568-12759-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6401GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6401GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK78150-55A/CUX
  仓库库存编号：1727-2221-2-ND
  别名：1727-2221-2
  568-12489-2
  568-12489-2-ND
  934068292115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK78150-55A/CUX
  仓库库存编号：1727-2221-1-ND
  别名：1727-2221-1
  568-12489-1
  568-12489-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB320UPEYL
  仓库库存编号：1727-2329-1-ND
  别名：1727-2329-1
  568-12615-1
  568-12615-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 750mW（Ta） SC-73
  
  型号：PMT560ENEAX
  仓库库存编号：1727-2725-1-ND
  别名：1727-2725-1
  568-13289-1
  568-13289-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 530mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：NX3008NBKMB,315
  仓库库存编号：1727-1234-1-ND
  别名：1727-1234-1
  568-10439-1
  568-10439-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323
  详细描述：Varactor Single 10V Surface Mount PG-SOD323-2
  
  型号：BBY5803WE6327HTSA1
  仓库库存编号：BBY5803WE6327HTSA1CT-ND
  别名：BBY 58-03W E6327CT
  BBY 58-03W E6327CT-ND
  BBY5803WE6327HTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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