以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT94N30P3
  仓库库存编号：IXFT94N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N50Q3
  仓库库存编号：IXFT30N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N20Q3
  仓库库存编号：IXFT70N20Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N30Q3
  仓库库存编号：IXFT50N30Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N10Q
  仓库库存编号：IXFH80N10Q-ND
  别名：IXFH80N10
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT75N10L2
  仓库库存编号：IXTT75N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N30P3
  仓库库存编号：IXFX120N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N50P
  仓库库存编号：IXFX64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N30P3
  仓库库存编号：IXFK120N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43M60B2
  仓库库存编号：APT43M60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ60N20L2
  仓库库存编号：IXTQ60N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT15N100Q3
  仓库库存编号：IXFT15N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43F60B2
  仓库库存编号：APT43F60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N20L2
  仓库库存编号：IXTH60N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT110N10L2
  仓库库存编号：IXTT110N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT60N20L2
  仓库库存编号：IXTT60N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100Q3
  仓库库存编号：IXFR15N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N30P3
  仓库库存编号：IXFK150N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50Q3
  仓库库存编号：IXFR44N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH04N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH04N300P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH02N450HV
  仓库库存编号：IXTH02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 75A 350W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 75A 350W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT32N170 T&R
  仓库库存编号：IXGT32N170CT-ND
  别名：IXGT32N170CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N150HV
  仓库库存编号：IXTA4N150HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN94N50P2
  仓库库存编号：IXFN94N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不适用
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB120N50P2
  仓库库存编号：IXFB120N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索