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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60C3
  仓库库存编号：IXGH48N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP80N075L2
  仓库库存编号：IXTP80N075L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ30N60X
  仓库库存编号：IXFQ30N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 63A 290W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT35GA90B
  仓库库存编号：APT35GA90B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW30N60E-GE3-ND
  别名：SIHW30N60E-GE3CT
  SIHW30N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 20A/129A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），129A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800120DC
  仓库库存编号：FDMT800120DCCT-ND
  别名：FDMT800120DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB36N60NTM
  仓库库存编号：FCB36N60NTMCT-ND
  别名：FCB36N60NTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF
  详细描述：IGBT 1500V 10A 62.5W Through Hole TO-3PF
  
  型号：SGF5N150UFTU
  仓库库存编号：SGF5N150UFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH34N50P3
  仓库库存编号：IXFH34N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ34N50P3
  仓库库存编号：IXFQ34N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP60BG
  仓库库存编号：APT15GP60BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 43A 174W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT20GT60BRG
  仓库库存编号：APT20GT60BRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH26N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N50P3
  仓库库存编号：IXFQ50N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 96A 416W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT54GA60B
  仓库库存编号：APT54GA60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 43A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP90BDQ1G
  仓库库存编号：APT15GP90BDQ1G-ND
  别名：APT15GP90BDQ1GMI
  APT15GP90BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH24N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 80A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH80N25X3
  仓库库存编号：IXFH80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT60N50P3
  仓库库存编号：IXFT60N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ94N30P3
  仓库库存编号：IXFQ94N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 75A 390W TO247AC
  详细描述：IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AC
  
  型号：AUIRGP50B60PD1
  仓库库存编号：AUIRGP50B60PD1-ND
  别名：SP001511310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA05N100HV
  仓库库存编号：IXTA05N100HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N50P3
  仓库库存编号：IXFT50N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N50Q3
  仓库库存编号：IXFH30N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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