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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 29A 80W TO220
  详细描述：IGBT 600V 29A 80W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP10NB60SD
  仓库库存编号：497-5008-5-ND
  别名：497-5008-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3
  仓库库存编号：IXFP20N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 36A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 347W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP36N30P3
  仓库库存编号：IXFP36N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N60P3
  仓库库存编号：IXFA7N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 347W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA36N30P3
  仓库库存编号：IXFA36N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP16N50P3
  仓库库存编号：IXFP16N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ450P2
  仓库库存编号：IXTQ450P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ20N50P3
  仓库库存编号：IXFQ20N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA460P2
  仓库库存编号：IXTA460P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP16N60P3
  仓库库存编号：IXFP16N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N60DM2
  仓库库存编号：497-16354-1-ND
  别名：497-16354-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE726DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE726DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE726DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH450P2
  仓库库存编号：IXTH450P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK22N6F3
  仓库库存编号：497-10009-1-ND
  别名：497-10009-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL60N100BNTDTU
  仓库库存编号：FGL60N100BNTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 185W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 60A 185W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP30NC60K
  仓库库存编号：497-7014-5-ND
  别名：497-7014-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH40N60UFTU
  仓库库存编号：SGH40N60UFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 38A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N40DM2AG
  仓库库存编号：497-16133-1-ND
  别名：497-16133-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ28N60P3
  仓库库存编号：IXFQ28N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60DM2
  仓库库存编号：497-16349-1-ND
  别名：497-16349-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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