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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF12N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF12N60E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR890DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR890DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR890DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840STRLPBF
  仓库库存编号：IRF840STRLPBFCT-ND
  别名：IRF840STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF10N60ZUT
  仓库库存编号：FDPF10N60ZUT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 35A 100V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3501W
  仓库库存编号：GBPC3501W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP14N60P3
  仓库库存编号：IXFP14N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE822DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE822DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE822DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NK50ZT4
  仓库库存编号：497-2451-1-ND
  别名：497-2451-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF380N65FL1
  仓库库存编号：FCPF380N65FL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP850N80Z
  仓库库存编号：FCP850N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF22N30
  仓库库存编号：FQPF22N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA14N60P3
  仓库库存编号：IXFA14N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-263
  
  型号：R6020KNJTL
  仓库库存编号：R6020KNJTLCT-ND
  别名：R6020KNJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17N40T
  仓库库存编号：FQPF17N40T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB20N120LWG
  仓库库存编号：NGTB20N120LWGOS-ND
  别名：NGTB20N120LWG-ND
  NGTB20N120LWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 35A 1000V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole MB-35W
  
  型号：MB3510W-BP
  仓库库存编号：MB3510W-BPMS-ND
  别名：MB3510W-BPMS
  MB3510WBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 266W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20S60L
  仓库库存编号：785-1247-1-ND
  别名：785-1247-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3M
  仓库库存编号：IXFP20N50P3M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP450P2
  仓库库存编号：IXTP450P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 44A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），130A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS8320LDC
  仓库库存编号：FDMS8320LDCCT-ND
  别名：FDMS8320LDCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 223W Through Hole TO-3P
  
  型号：GPA020A135MN-FD
  仓库库存编号：1560-1217-5-ND
  别名：1560-1217-1
  1560-1217-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP190N65F
  仓库库存编号：FCP190N65F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL75NH3LL
  仓库库存编号：497-8485-1-ND
  别名：497-8485-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM60N
  仓库库存编号：497-7931-1-ND
  别名：497-7931-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） LPTS
  
  型号：R6024KNJTL
  仓库库存编号：R6024KNJTLCT-ND
  别名：R6024KNJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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