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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N65K3
  仓库库存编号：497-14032-1-ND
  别名：497-14032-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc）
  
  型号：IRF830ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF830ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF830ASTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH6N95K5-2
  仓库库存编号：497-16316-1-ND
  别名：497-16316-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 800V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1208
  仓库库存编号：GBPC1208FS-ND
  别名：GBPC1208FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80C_F109
  仓库库存编号：FQA10N80C_F109FS-ND
  别名：FQA10N80C_F109-ND
  FQA10N80C_F109FS
  FQA10N80CF109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 20A TO220
  详细描述：IGBT 650V 40A 45W Through Hole TO-220
  
  型号：AOTF20B65M2
  仓库库存编号：785-1771-ND
  别名：785-1771
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL20DN10F7
  仓库库存编号：497-14967-1-ND
  别名：497-14967-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 23A 75W TO3PF
  详细描述：IGBT 600V 23A 75W Through Hole TO-3PF
  
  型号：SGF23N60UFTU
  仓库库存编号：SGF23N60UFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF650N80Z
  仓库库存编号：FCPF650N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7N80TU
  仓库库存编号：FQI7N80TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 30A 178W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 30A 178W Through Hole TO-220-3
  
  型号：FGP15N60UNDF
  仓库库存编号：FGP15N60UNDF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBF20STRLPBFCT-ND
  别名：IRFBF20STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE874DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE874DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE874DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7738DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7738DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7738DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 21A 62.5W TO220
  详细描述：IGBT 600V 21A 62.5W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP10NC60S
  仓库库存编号：497-10002-5-ND
  别名：497-10002-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 56W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N65M2
  仓库库存编号：497-15259-1-ND
  别名：497-15259-1
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N90TU
  仓库库存编号：FQI4N90TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N90K5
  仓库库存编号：497-17079-1-ND
  别名：497-17079-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 41A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8014S
  仓库库存编号：FDPC8014SCT-ND
  别名：FDPC8014SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Tc） 96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ7N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ7N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 200V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 12A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1202W
  仓库库存编号：GBPC1202W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 100V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1201
  仓库库存编号：GBPC1201FS-ND
  别名：GBPC1201FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 600V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1206W
  仓库库存编号：GBPC1206W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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