产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF18N20FT
仓库库存编号:
FDPF18N20FT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220
型号:
FCP600N60Z
仓库库存编号:
FCP600N60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 2A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP2P40_F080
仓库库存编号:
FQP2P40_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A 8W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
型号:
CSD87384MT
仓库库存编号:
296-37752-1-ND
别名:296-37752-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF2N80YDTU
仓库库存编号:
FQPF2N80YDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS86141
仓库库存编号:
FDS86141CT-ND
别名:FDS86141CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN6A09DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A09DN8CT-ND
别名:ZXMN6A09DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
详细描述:表面贴装 P 沟道 21.1A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),73W(Tc) Power56
型号:
FDMS6681Z
仓库库存编号:
FDMS6681ZCT-ND
别名:FDMS6681ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86500L
仓库库存编号:
FDMS86500LFSCT-ND
别名:FDMS86500LFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N50UT
仓库库存编号:
FDPF10N50UT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
BRIDGE RECTIFIER 35A 200V GBJ
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBJ
型号:
GBJ3502-BP
仓库库存编号:
GBJ3502-BPMS-ND
别名:GBJ3502-BPMS
GBJ3502BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ420DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ420DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ420DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 15A TO220
详细描述:IGBT 650V 30A 36W Through Hole TO-220
型号:
AOTF15B65M2
仓库库存编号:
785-1769-ND
别名:785-1769
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 20A 60W TO220
详细描述:IGBT 600V 20A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP10NC60H
仓库库存编号:
497-5117-5-ND
别名:497-5117-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
STB10N60M2
仓库库存编号:
497-14528-1-ND
别名:497-14528-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16325Q5
仓库库存编号:
296-24964-1-ND
别名:296-24964-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N65M2
仓库库存编号:
497-15047-1-ND
别名:497-15047-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50UT
仓库库存编号:
FDPF12N50UT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16414Q5
仓库库存编号:
296-24257-1-ND
别名:296-24257-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25.5A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP27N25
仓库库存编号:
FQP27N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 60W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF8N90C
仓库库存编号:
FQPF8N90C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD2N105K5
仓库库存编号:
497-15308-1-ND
别名:497-15308-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL12N65M2
仓库库存编号:
497-15054-1-ND
别名:497-15054-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL10N65M2
仓库库存编号:
497-15052-1-ND
别名:497-15052-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90N04-3M3P-E3
仓库库存编号:
SUM90N04-3M3P-E3CT-ND
别名:SUM90N04-3M3P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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