以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 25A 50V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ25005-BP
  仓库库存编号：GBJ25005-BPMS-ND
  别名：GBJ25005-BPMS
  GBJ25005BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 52W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD1300N80Z
  仓库库存编号：FCD1300N80ZCT-ND
  别名：FCD1300N80ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 8.5W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87352Q5D
  仓库库存编号：296-29161-1-ND
  别名：296-29161-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），100W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N60CTU
  仓库库存编号：FQI5N60CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：SGP02N120XKSA1
  仓库库存编号：SGP02N120XKSA1-ND
  别名：SGP02N120
  SGP02N120-ND
  SP000683106
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS4DPF20L
  仓库库存编号：497-8042-1-ND
  别名：497-8042-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N40CTM
  仓库库存编号：FQB6N40CTMCT-ND
  别名：FQB6N40CTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRF630STRLPBF
  仓库库存编号：IRF630STRLPBFCT-ND
  别名：IRF630STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB5N80K5
  仓库库存编号：497-16923-1-ND
  别名：497-16923-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRLPBF
  仓库库存编号：IRL640STRLPBFCT-ND
  别名：IRL640STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N60M2
  仓库库存编号：497-16039-1-ND
  别名：497-16039-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18531Q5AT
  仓库库存编号：296-41958-1-ND
  别名：296-41958-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N60P3
  仓库库存编号：IXFP4N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6403
  仓库库存编号：785-1339-1-ND
  别名：785-1339-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECT BRIDGE CELL 400V 25A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3.6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU2504-G
  仓库库存编号：641-1361-ND
  别名：641-1361
  KBU2504G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF7N60YDTU
  仓库库存编号：FCPF7N60YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），22A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86520L
  仓库库存编号：FDMC86520LCT-ND
  别名：FDMC86520LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R380E6
  IPA60R380E6-ND
  SP000795300
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF380N60_F152
  仓库库存编号：FCPF380N60_F152-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A 4-SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8KS
  仓库库存编号：GBU8KS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
  
  型号：FGB5N60UNDF
  仓库库存编号：FGB5N60UNDF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA02DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA02DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA02DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 29A 80W TO220
  详细描述：IGBT 600V 29A 80W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP10NB60S
  仓库库存编号：497-6733-5-ND
  别名：497-6733-5
  STGP10NB60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9640STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9640STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9640STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P20TM_F085
  仓库库存编号：FQB7P20TM_F085CT-ND
  别名：FQB7P20TM_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索