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• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 100V 13A 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL13DP10F6
  仓库库存编号：497-14987-1-ND
  别名：497-14987-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80CT
  仓库库存编号：FQPF6N80CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17305Q5A
  仓库库存编号：296-25855-1-ND
  别名：296-25855-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18501Q5A
  仓库库存编号：296-30570-1-ND
  别名：296-30570-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI8N60CTU
  仓库库存编号：FQI8N60CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 251W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP39N20
  仓库库存编号：FDP39N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86102LZ
  仓库库存编号：FDT86102LZFSCT-ND
  别名：FDT86102LZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC4559DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC4559DN8CT-ND
  别名：ZXMC4559DN8CT
  ZXMC4559DN8TA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF6N60ZUT
  仓库库存编号：FDPF6N60ZUT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 20A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86324
  仓库库存编号：FDMC86324CT-ND
  别名：FDMC86324CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N70
  仓库库存编号：FQPF2N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GVTA
  仓库库存编号：ZVN4306GVCT-ND
  别名：ZVN4306GV
  ZVN4306GVCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50NZ
  仓库库存编号：FDPF12N50NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11N40CTM
  仓库库存编号：FQB11N40CTMCT-ND
  别名：FQB11N40CTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF600N60Z
  仓库库存编号：FCPF600N60Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 80W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 25A 80W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD14NC60KT4
  仓库库存编号：497-5739-1-ND
  别名：497-5739-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N50NZ
  仓库库存编号：FDP12N50NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606040
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606036
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7149DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7149DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7149DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR2B60KDPBF
  仓库库存编号：IRGR2B60KDPBF-ND
  别名：SP001534018
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 13A 50W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 50W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGDL6NC60DT4
  仓库库存编号：497-7990-1-ND
  别名：497-7990-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N20LTM
  仓库库存编号：FQB19N20LTMCT-ND
  别名：FQB19N20LTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4539ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4539ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4539ADY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N60NZ
  仓库库存编号：FDPF12N60NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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