产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4424A
仓库库存编号：
ZVN4424A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7463DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7463DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7463DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7463DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7463DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7463DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），76A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86300DC
仓库库存编号：
FDMS86300DCFSCT-ND
别名：FDMS86300DCFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7430DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7430DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7430DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 40A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
型号：
CSD86350Q5D
仓库库存编号：
296-27532-1-ND
别名：296-27532-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7650
仓库库存编号：
FDMS7650CT-ND
别名：FDMS7650CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19531Q5AT
仓库库存编号：
296-37749-1-ND
别名：296-37749-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
库存产品核实请求
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
型号：
SI4472DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4472DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4472DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
型号：
FDMQ8403
仓库库存编号：
FDMQ8403CT-ND
别名：FDMQ8403CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB33N25TM
仓库库存编号：
FDB33N25TMCT-ND
别名：FDB33N25TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
型号：
FDMQ8203
仓库库存编号：
FDMQ8203CT-ND
别名：FDMQ8203CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86500DC
仓库库存编号：
FDMS86500DCFSCT-ND
别名：FDMS86500DCFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N90TM
仓库库存编号：
FQB5N90TMCT-ND
别名：FQB5N90TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR470DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR470DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR470DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86300
仓库库存编号：
FDMS86300CT-ND
别名：FDMS86300CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR826DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR826DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS2734
仓库库存编号：
FDMS2734CT-ND
别名：FDMS2734CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7790DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7790DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7790DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB52N20TM
仓库库存编号：
FDB52N20TMCT-ND
别名：FDB52N20TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150
仓库库存编号：
FDMS86150CT-ND
别名：FDMS86150CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
STB10NK60ZT4
仓库库存编号：
497-6544-1-ND
别名：497-6544-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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