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• IXYS
  850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N85XHV
  仓库库存编号：IXFT50N85XHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK100N65X2
  仓库库存编号：IXFK100N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY130NF20D
  仓库库存编号：497-11004-5-ND
  别名：497-11004-5
  STY130NF20D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT12N100F
  仓库库存编号：IXFT12N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 160A 961W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264
  
  型号：APT70GR120L
  仓库库存编号：APT70GR120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT47N60BC3G
  仓库库存编号：APT47N60BC3G-ND
  别名：APT47N60BC3GMI
  APT47N60BC3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT20M38SVRG
  仓库库存编号：APT20M38SVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 183A 780W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT102GA60L
  仓库库存编号：APT102GA60L-ND
  别名：APT102GA60LMI
  APT102GA60LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT170N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT170N25X3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH80N65X2
  仓库库存编号：IXTH80N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0120100J
  仓库库存编号：C3M0120100J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX120N65X2
  仓库库存编号：IXTX120N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N65X2
  仓库库存编号：IXTK120N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK120N65X2
  仓库库存编号：IXFK120N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT38F80L
  仓库库存编号：APT38F80L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 1250W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK66N85X
  仓库库存编号：IXFK66N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX21N100F
  仓库库存编号：IXFX21N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  250V/240A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 1250W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK240N25X3
  仓库库存编号：IXFK240N25X3-ND
  
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  MOSFET N-CH 1KV 21A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK21N100F
  仓库库存编号：IXFK21N100F-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 170A（Tc） 390W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N25X3
  仓库库存编号：IXFN170N25X3-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 100A DE475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 445W（Tc） DE475
  
  型号：IXFZ140N25T
  仓库库存编号：IXFZ140N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N100F
  仓库库存编号：IXFX24N100F-ND
  
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  MOSFET N-CH 1KV 24A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 560W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100F
  仓库库存编号：IXFK24N100F-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 108A（Tc） 890W（Tc） SOT-227
  
  型号：IXFN120N65X2
  仓库库存编号：IXFN120N65X2-ND
  别名：632519
  IXFN120N65X2X
  IXFN120N65X2X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 55A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 560W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK55N50F
  仓库库存编号：IXFK55N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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