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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA60N25X3
  仓库库存编号：IXFA60N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N85X
  仓库库存编号：IXFP20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N85X
  仓库库存编号：IXFH14N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-263（D2Pak-HV）
  
  型号：IXFA20N85XHV
  仓库库存编号：IXFA20N85XHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 60A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ60N25X3
  仓库库存编号：IXFQ60N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 660W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH46N65X2
  仓库库存编号：IXFH46N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
  
  型号：APT25GR120BD15
  仓库库存编号：APT25GR120BD15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH20N85X
  仓库库存编号：IXFH20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH62N65X2
  仓库库存编号：IXTH62N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247（IXFJ）
  
  型号：IXFJ20N85X
  仓库库存编号：IXFJ20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16N20D2
  仓库库存编号：IXTH16N20D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ120N25X3
  仓库库存编号：IXFQ120N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 850V 30A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N85X
  仓库库存编号：IXFH30N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  MOSFET N-CH GANFET 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 81W（Tc） TO-220AB
  
  型号：TPH3206PSB
  仓库库存编号：TPH3206PSB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100F
  仓库库存编号：IXFH6N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 104W（Tc） TO-247（IXFJ）
  
  型号：IXFJ80N25X3
  仓库库存编号：IXFJ80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH120N25X3
  仓库库存编号：IXFH120N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 80A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS40B120UDP
  仓库库存编号：IRGPS40B120UDP-ND
  别名：*IRGPS40B120UDP
  SP001536518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 695W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT30N85XHV
  仓库库存编号：IXFT30N85XHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF57N65M5
  仓库库存编号：497-13103-5-ND
  别名：497-13103-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT120N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT120N25X3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 113.6W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0075120J
  仓库库存编号：C3M0075120J-ND
  
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  850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH50N85X
  仓库库存编号：IXFH50N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET NCH 850V 40A TO268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 860W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N85XHV
  仓库库存编号：IXFT40N85XHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT150N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT150N25X3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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