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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 305W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030KNZ1C9
  仓库库存编号：R6030KNZ1C9-ND
  别名：R6030KNZ1C9TR
  R6030KNZ1C9TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030KNZC8
  仓库库存编号：R6030KNZC8-ND
  别名：R6030KNZC8TR
  R6030KNZC8TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP22N65X2
  仓库库存编号：IXFP22N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECTIFIER 600V 8.0A D-72
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole D-72
  
  型号：VS-KBPC806
  仓库库存编号：VS-KBPC806GI-ND
  别名：*KBPC806
  KBPC806
  KBPC806-ND
  VS-KBPC806-ND
  VS-KBPC806GI
  VSKBPC806
  VSKBPC806-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI22NM60N
  仓库库存编号：497-12259-ND
  别名：497-12259
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 14A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP14N85X
  仓库库存编号：IXFP14N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 8500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 38W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP14N85XM
  仓库库存编号：IXFP14N85XM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH22N65X2
  仓库库存编号：IXFH22N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA14N85XHV
  仓库库存编号：IXFA14N85XHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 35A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 379W（Tc） TO-247
  
  型号：R6035KNZ1C9
  仓库库存编号：R6035KNZ1C9-ND
  别名：R6035KNZ1C9TR
  R6035KNZ1C9TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXFY30N25X3
  仓库库存编号：IXFY30N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N25X3
  仓库库存编号：IXFP30N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N25X3M
  仓库库存编号：IXFP30N25X3M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 50A TO247
  详细描述：IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTG50N60FLWG
  仓库库存编号：NGTG50N60FLWGOS-ND
  别名：NGTG50N60FLWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15N95K5
  仓库库存编号：497-14215-5-ND
  别名：497-14215-5
  STF15N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA30N25X3
  仓库库存编号：IXFA30N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3510W
  仓库库存编号：VS-GBPC3510WVS-ND
  别名：GBPC3510WIR
  GBPC3510WIR-ND
  GBPC3510WVS
  GBPC3510WVS-ND
  VS-GBPC3510WIR
  VS-GBPC3510WIR-ND
  VS-GBPC3510WVS
  VSGBPC3510W
  VSGBPC3510WIR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 1000V 25A GBPCA
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC2510A
  仓库库存编号：GBPC2510A-ND
  别名：*GBPC2510A
  GBPC2510A
  VS-GBPC2510A-ND
  VSGBPC2510A
  VSGBPC2510A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36P15P
  仓库库存编号：IXTQ36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 300V 70A 180W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 300V 70A 180W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4072DPBF
  仓库库存编号：IRGP4072DPBF-ND
  别名：SP001542398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT11N80BC3G
  仓库库存编号：APT11N80BC3G-ND
  别名：APT11N80BC3GMI
  APT11N80BC3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 1200V 25A GBPCA
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 25A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC2512A
  仓库库存编号：GBPC2512A-ND
  别名：*GBPC2512A
  GBPC2512A
  VS-GBPC2512A-ND
  VSGBPC2512A
  VSGBPC2512A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NM60N
  仓库库存编号：497-7618-5-ND
  别名：497-7618-5
  STW15NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP60N25X3
  仓库库存编号：IXFP60N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP60N25X3M
  仓库库存编号：IXFP60N25X3M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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