以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280C6
  仓库库存编号：IPW60R280C6-ND
  别名：IPW60R280C6FKSA1
  SP000645032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF18N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF18N50D-E3-ND
  别名：SIHF18N50DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N95K5
  仓库库存编号：497-14552-5-ND
  别名：497-14552-5
  STF10N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 21A 167W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG5N120BND
  仓库库存编号：HGTG5N120BNDFS-ND
  别名：HGTG5N120BND-ND
  HGTG5N120BNDFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R160P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R160P6XKSA1-ND
  别名：SP001017068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP4N85X
  仓库库存编号：IXFP4N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  BRIDGE DIODE GPP 50A 1000V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5010-G
  仓库库存编号：641-1861-ND
  别名：641-1861
  KBPC5010-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10NM60ND
  仓库库存编号：497-12276-ND
  别名：497-12276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N70X2
  仓库库存编号：IXTP8N70X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-247
  
  型号：R6020KNZ1C9
  仓库库存编号：R6020KNZ1C9-ND
  别名：R6020KNZ1C9TR
  R6020KNZ1C9TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW13N60M2
  仓库库存编号：497-15012-5-ND
  别名：497-15012-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60ND
  仓库库存编号：497-12246-ND
  别名：497-12246
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK70ZFP
  仓库库存编号：497-12623-5-ND
  别名：497-12623-5
  STP9NK70ZFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA4N85X
  仓库库存编号：IXFA4N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA12N65X2
  仓库库存编号：IXTA12N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252（IXFY）
  
  型号：IXFY4N85X
  仓库库存编号：IXFY4N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 50A BR-L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A Through Hole BR-L
  
  型号：BR5010L-G
  仓库库存编号：641-1833-ND
  别名：641-1833
  BR5010L-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW9NK70Z
  仓库库存编号：497-5899-5-ND
  别名：497-5899-5
  STW9NK70Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030KNX
  仓库库存编号：R6030KNX-ND
  别名：R6030KNXTR
  R6030KNXTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 74W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6024KNZC8
  仓库库存编号：R6024KNZC8-ND
  别名：R6024KNZC8TR
  R6024KNZC8TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N95K3
  仓库库存编号：497-12588-5-ND
  别名：497-12588-5
  STF7N95K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） TO-247
  
  型号：R6024KNZ1C9
  仓库库存编号：R6024KNZ1C9-ND
  别名：R6024KNZ1C9TR
  R6024KNZ1C9TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.6A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP10NK70Z
  仓库库存编号：497-5893-5-ND
  别名：497-5893-5
  STP10NK70Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 240W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N90C_F109
  仓库库存编号：FQA8N90C_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索