产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7812DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7812DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7812DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7812DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7905DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7905DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7905DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4943BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4943BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4943BDY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4423DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4423DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4423DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR870ADP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7997DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7997DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7997DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18502Q5B
仓库库存编号：
296-35629-1-ND
别名：296-35629-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
型号：
CSD87350Q5D
仓库库存编号：
296-28318-1-ND
别名：296-28318-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7178DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7178DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7178DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4434DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4434DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4434DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7135DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7135DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7135DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta）、 85A（Tc） 7.4W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6278
仓库库存编号：
785-1612-1-ND
别名：785-1612-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4904DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4904DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4904DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4904DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4904DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4904DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
型号：
TC6320TG-G
仓库库存编号：
TC6320TG-GCT-ND
别名：TC6320TG-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7145DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7145DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7145DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 52A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），52A（Tc） 7.4W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6250
仓库库存编号：
785-1666-1-ND
别名：785-1666-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7137DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7137DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7137DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7141DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7141DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7141DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 830mW（Ta），104.2W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS037N08B
仓库库存编号：
FDMS037N08BCT-ND
别名：FDMS037N08BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7469DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7469DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7469DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS3572
仓库库存编号：
FDMS3572CT-ND
别名：FDMS3572CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7164DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7164DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7164DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 125mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2540N8-G
仓库库存编号：
TP2540N8-GCT-ND
别名：TP2540N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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