以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2510TB
  仓库库存编号：1655-1866-ND
  别名：1655-1866
  1655-1866-1
  1655-1866-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506TB
  仓库库存编号：1655-1865-ND
  别名：1655-1865
  1655-1865-1
  1655-1865-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF620STRLPBF
  仓库库存编号：IRF620STRLPBFCT-ND
  别名：IRF620STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 4A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4M
  仓库库存编号：GBU4M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 26W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R950C6
  仓库库存编号：IPA60R950C6-ND
  别名：IPA60R950C6XKSA1
  SP000629360
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF16N25C
  仓库库存编号：FQPF16N25C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 45W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM10NC65CF C0G
  仓库库存编号：TSM10NC65CF C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU10005-G
  仓库库存编号：641-1366-5-ND
  别名：641-1366-5
  GBU10005G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM100N06CZ C0G
  仓库库存编号：TSM100N06CZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R750E6
  仓库库存编号：IPA60R750E6-ND
  别名：IPA60R750E6XKSA1
  SP000842480
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 94W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM3N80CI C0G
  仓库库存编号：TSM3N80CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF710SPBF
  仓库库存编号：IRF710SPBF-ND
  别名：*IRF710SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP6N60M2
  仓库库存编号：497-13974-5-ND
  别名：497-13974-5
  STP6N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP8N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHP8N50D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc）
  
  型号：IRF830STRLPBF
  仓库库存编号：IRF830STRLPBFCT-ND
  别名：IRF830STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB5NK52ZD-1
  仓库库存编号：497-5952-5-ND
  别名：497-5952-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3506TB
  仓库库存编号：1655-1867-ND
  别名：1655-1867
  1655-1867-1
  1655-1867-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3510TB
  仓库库存编号：1655-1868-ND
  别名：1655-1868
  1655-1868-1
  1655-1868-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI620GPBF
  仓库库存编号：IRFI620GPBF-ND
  别名：*IRFI620GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU6N65M2
  仓库库存编号：497-15044-5-ND
  别名：497-15044-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NK40Z
  仓库库存编号：497-7500-5-ND
  别名：497-7500-5
  STP11NK40Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） TO-220
  
  型号：STP2N95K5
  仓库库存编号：497-14280-5-ND
  别名：497-14280-5
  STP2N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820SPBF
  仓库库存编号：IRF820SPBF-ND
  别名：*IRF820SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 156W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18510Q5BT
  仓库库存编号：296-46567-1-ND
  别名：296-46567-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N65M2
  仓库库存编号：497-15035-5-ND
  别名：497-15035-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索