产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT50M75JLLU3
仓库库存编号：
APT50M75JLLU3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT150GT120JR
仓库库存编号：
APT150GT120JR-ND
别名：APT150GT120JRMI
APT150GT120JRMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 160A 480W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS080A120S-A1
仓库库存编号：
1560-1061-5-ND
别名：1560-1061
1560-1061-5
1560-1061-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 103A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT100F50J
仓库库存编号：
APT100F50J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole KBP
型号：
KBP210GTB
仓库库存编号：
1655-1830-ND
别名：1655-1830
1655-1830-1
1655-1830-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），123A（Tc） 3.1W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD17581Q5AT
仓库库存编号：
296-44867-1-ND
别名：296-44867-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 50A
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17308Q3T
仓库库存编号：
296-44075-1-ND
别名：296-44075-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU410TB
仓库库存编号：
1655-1850-ND
别名：1655-1850
1655-1850-1
1655-1850-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU406TB
仓库库存编号：
1655-1848-ND
别名：1655-1848
1655-1848-1
1655-1848-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
型号：
TSM6NB60CI C0G
仓库库存编号：
TSM6NB60CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU406GTB
仓库库存编号：
1655-1847-ND
别名：1655-1847
1655-1847-1
1655-1847-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU410GTB
仓库库存编号：
1655-1849-ND
别名：1655-1849
1655-1849-1
1655-1849-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
型号：
STS4DNFS30
仓库库存编号：
497-6187-1-ND
别名：497-6187-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU610TB
仓库库存编号：
1655-1854-ND
别名：1655-1854
1655-1854-1
1655-1854-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU606TB
仓库库存编号：
1655-1852-ND
别名：1655-1852
1655-1852-1
1655-1852-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18513Q5AT
仓库库存编号：
296-45231-1-ND
别名：296-45231-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
不受无铅要求限制
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-263
型号：
R6007KNJTL
仓库库存编号：
R6007KNJTLCT-ND
别名：R6007KNJTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 94W（Tc） TO-263
型号：
R6009KNJTL
仓库库存编号：
R6009KNJTLCT-ND
别名：R6009KNJTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 4A 600V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL406-G
仓库库存编号：
641-1845-ND
别名：641-1845
KBL406-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU606GTB
仓库库存编号：
1655-1851-ND
别名：1655-1851
1655-1851-1
1655-1851-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU610GTB
仓库库存编号：
1655-1853-ND
别名：1655-1853
1655-1853-1
1655-1853-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU810TB
仓库库存编号：
1655-1858-ND
别名：1655-1858
1655-1858-1
1655-1858-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU806TB
仓库库存编号：
1655-1856-ND
别名：1655-1856
1655-1856-1
1655-1856-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU605 D2G
仓库库存编号：
GBU605 D2G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） ITO-220
型号：
TSM4NB65CI C0G
仓库库存编号：
TSM4NB65CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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