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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT53N60BC6
  仓库库存编号：APT53N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 650V 208A 892W T-MAX
  详细描述：IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT95GR65B2
  仓库库存编号：APT95GR65B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 139W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT1003RBLLG
  仓库库存编号：APT1003RBLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 40A 390W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH46UDPBF
  仓库库存编号：IRG7PH46UDPBF-ND
  别名：SP001542050
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 417W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT34N80B2C3G
  仓库库存编号：APT34N80B2C3G-ND
  别名：APT34N80B2C3GMI
  APT34N80B2C3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M100B
  仓库库存编号：APT18M100B-ND
  别名：APT18M100BMI
  APT18M100BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
  
  型号：APT40GR120B2D30
  仓库库存编号：APT40GR120B2D30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N90K5
  仓库库存编号：497-17090-ND
  别名：497-17090
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 75A 460W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 460W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH50N120C3
  仓库库存编号：IXGH50N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 446W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：STWA40N90K5
  仓库库存编号：497-17091-ND
  别名：497-17091
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT43M60L
  仓库库存编号：APT43M60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
  
  型号：APT40GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT40GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT40GP60B2DQ2GMP
  APT40GP60B2DQ2GMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 100A 543W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT40GP90BG
  仓库库存编号：APT40GP90BG-ND
  别名：APT40GP90BGMI
  APT40GP90BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 96A 543W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT35GP120BG
  仓库库存编号：APT35GP120BG-ND
  别名：APT35GP120BGMI
  APT35GP120BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT5010B2FLLG
  仓库库存编号：APT5010B2FLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：APT31M100L
  仓库库存编号：APT31M100L-ND
  别名：APT31M100LMP
  APT31M100LMP-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT24M120B2
  仓库库存编号：APT24M120B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
  
  型号：APT35GP120B2DQ2G
  仓库库存编号：APT35GP120B2DQ2G-ND
  别名：APT35GP120B2DQ2GMI
  APT35GP120B2DQ2GMI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT66F60B2
  仓库库存编号：APT66F60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT37M100B2
  仓库库存编号：APT37M100B2-ND
  别名：APT37M100B2MI
  APT37M100B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 135A 781W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT50GF120LRG
  仓库库存编号：APT50GF120LRG-ND
  别名：APT50GF120LRGMI
  APT50GF120LRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10078BLLG
  仓库库存编号：APT10078BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 543W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH76N60N
  仓库库存编号：FCH76N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 76A（Tc） 595AW（Tc） SOT-227
  
  型号：IXTN102N65X2
  仓库库存编号：IXTN102N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT26F120L
  仓库库存编号：APT26F120L-ND
  别名：APT26F120LMI
  APT26F120LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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