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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 400V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC2504W
  仓库库存编号：GBPC2504W-ND
  别名：GBPC2504W
  VS-GBPC2504W-ND
  VSGBPC2504W
  VSGBPC2504W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 36A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GT120BRG
  仓库库存编号：APT15GT120BRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH28N60P3
  仓库库存编号：IXFH28N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE GPP 35A 600V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3506W
  仓库库存编号：VS-GBPC3506WVS-ND
  别名：GBPC3506WIR
  GBPC3506WIR-ND
  GBPC3506WVS
  GBPC3506WVS-ND
  VS-GBPC3506WIR
  VS-GBPC3506WIR-ND
  VS-GBPC3506WVS
  VSGBPC3506W
  VSGBPC3506WIR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA55N25
  仓库库存编号：FQA55N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 304W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 600V 60A 304W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP30B60KD-EP
  仓库库存编号：IRGP30B60KD-EP-ND
  别名：*IRGP30B60KD-EP
  IRGP30B60KDEP
  SP001549784
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH35UDPBF
  仓库库存编号：IRG7PH35UDPBF-ND
  别名：SP001537540
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50PBF
  仓库库存编号：IRFPC50PBF-ND
  别名：*IRFPC50PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 65A 290W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT36GA60B
  仓库库存编号：APT36GA60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH32N65X
  仓库库存编号：IXTH32N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30N60BC6
  仓库库存编号：APT30N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N60P
  仓库库存编号：IXFH26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 110A 446W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GT60BRG
  仓库库存编号：APT50GT60BRG-ND
  别名：APT50GT60BRGMI
  APT50GT60BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 63W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP20N65XM
  仓库库存编号：IXTP20N65XM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA20N65X
  仓库库存编号：IXTA20N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 650V 134A 595W TO-247
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
  
  型号：APT70GR65B
  仓库库存编号：APT70GR65B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N65X
  仓库库存编号：IXTH20N65X-ND
  
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  IGBT 600V 43A 174W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT20GT60BRDQ1G
  仓库库存编号：APT20GT60BRDQ1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 78A 337W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT43GA90B
  仓库库存编号：APT43GA90B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 63A 290W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT35GA90BD15
  仓库库存编号：APT35GA90BD15-ND
  别名：APT35GA90BD15MI
  APT35GA90BD15MI-ND
  
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  IGBT 600V 54A 250W SOT227
  详细描述：IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GS60BRDQ2G
  仓库库存编号：APT30GS60BRDQ2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT37F50B
  仓库库存编号：APT37F50B-ND
  别名：APT37F50BMI
  APT37F50BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 65A 290W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT36GA60BD15
  仓库库存编号：APT36GA60BD15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M80B
  仓库库存编号：APT18M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 78A 337W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT43GA90BD30
  仓库库存编号：APT43GA90BD30-ND
  别名：APT43GA90BD30MI
  APT43GA90BD30MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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