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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R250CP
  仓库库存编号：IPA50R250CP-ND
  别名：IPA50R250CPXKSA1
  SP000236080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 20A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.5A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2060-E3/45
  仓库库存编号：GSIB2060-E3/45-ND
  别名：GSIB2060E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 800V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2580
  仓库库存编号：DFB2580-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  详细描述：通孔 N 沟道 TO-220FP
  
  型号：STF6N90K5
  仓库库存编号：497-17073-ND
  别名：497-17073
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA05N100
  仓库库存编号：IXTA05N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2510-E3/45
  仓库库存编号：BU2510-E3/45GI-ND
  别名：BU2510-E3/45-ND
  BU2510-E3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI6N90K5
  仓库库存编号：497-17075-ND
  别名：497-17075
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU18N65M2
  仓库库存编号：497-16306-5-ND
  别名：497-16306-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10LN80K5
  仓库库存编号：497-16500-5-ND
  别名：497-16500-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R800C3
  仓库库存编号：IPW90R800C3-ND
  别名：IPW90R800C3FKSA1
  SP000413758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU24N60M2
  仓库库存编号：497-16110-5-ND
  别名：497-16110-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 600V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1206
  仓库库存编号：GBPC1206FS-ND
  别名：GBPC1206FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N90K5
  仓库库存编号：497-17078-ND
  别名：497-17078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R225C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R225C7XKSA1-ND
  别名：SP000929432
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH20KPBF
  仓库库存编号：IRG4PH20KPBF-ND
  别名：*IRG4PH20KPBF
  SP001540532
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N90K5
  仓库库存编号：497-17080-ND
  别名：497-17080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF20N50
  仓库库存编号：FDPF20N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SPP16N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP16N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681056
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 30A TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
  
  型号：AOKS30B60D1
  仓库库存编号：785-1758-ND
  别名：785-1758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N90C_F109
  仓库库存编号：FQA6N90C_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC20SPBF
  仓库库存编号：IRFBC20SPBF-ND
  别名：*IRFBC20SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH24N60M2
  仓库库存编号：497-16596-5-ND
  别名：497-16596-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA20N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA20N50E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：SPA11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216312
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBE20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBE20GPBF-ND
  别名：*IRFIBE20GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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