产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(24622)
二极管 - 桥式整流器
(2994)
二极管 - 射频
(34)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(173)
二极管 - 齐纳 - 阵列
(32)
二极管 - 齐纳 - 单
(707)
晶闸管 - SCR - 模块
(6)
晶闸管 - TRIAC
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(323)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(93)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2992)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2014)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(13335)
晶体管 - IGBT - 阵列
(15)
晶体管 - IGBT - 模块
(120)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(1543)
晶体管 - JFET
(240)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(977)
Analog Devices Inc.(8)
Bourns Inc.(6)
Central Semiconductor Corp(40)
Comchip Technology(375)
Cree/Wolfspeed(23)
Diodes Incorporated(2470)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(3813)
GeneSiC Semiconductor(248)
Global Power Technologies Group(163)
Infineon Technologies(2769)
IXYS(2092)
Micro Commercial Co(369)
Microchip Technology(181)
Microsemi Corporation(679)
Nexperia USA Inc.(325)
NXP USA Inc.(156)
ON Semiconductor(2161)
Powerex Inc.(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(55)
Sanken(2)
Semtech Corporation(76)
SMC Diode Solutions(248)
STMicroelectronics(1052)
Taiwan Semiconductor Corporation(2068)
Texas Instruments(206)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Transphorm(11)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(772)
Vishay Siliconix(3249)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 8A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8D
仓库库存编号：
1242-1278-ND
别名：1242-1278
GBU8DGN
GBU8DGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA65R600E6
仓库库存编号：
IPA65R600E6-ND
别名：IPA65R600E6XKSA1
SP000799140
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP14N30
仓库库存编号：
FQP14N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP90R1K2C3
仓库库存编号：
IPP90R1K2C3-ND
别名：IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET NCH 600V 7.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STFH10N60M2
仓库库存编号：
497-16593-5-ND
别名：497-16593-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65E-GE3-ND
别名：SIHD6N65E-GE3CT
SIHD6N65E-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP4N90K5
仓库库存编号：
497-17070-ND
别名：497-17070
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11N60DM2
仓库库存编号：
497-16960-ND
别名：497-16960
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1210-E3/45
仓库库存编号：
BU1210-E3/45GI-ND
别名：BU1210-E3/45-ND
BU1210-E3/45GI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP11N60DM2
仓库库存编号：
497-16932-ND
别名：497-16932
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R380P6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R380P6XKSA1-ND
别名：SP001017072
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R380P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R380P6XKSA1-ND
别名：SP001017058
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 10A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU10D
仓库库存编号：
1242-1223-ND
别名：1242-1223
GBU10DGN
GBU10DGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 6A 800V GPP INLINE GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.8A Through Hole GBU
型号：
GBU6K-E3/51
仓库库存编号：
GBU6K-E3/51GI-ND
别名：GBU6K-E3/51-ND
GBU6K-E3/51GI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 200V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.8A Through Hole GBU
型号：
GBU6D-E3/45
仓库库存编号：
GBU6D-E3/45GI-ND
别名：GBU6D
GBU6D-E3/45-ND
GBU6D-E3/45GI
GBU6D-ND
GBU6D/45
GBU6D/45-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 600V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.8A Through Hole GBU
型号：
GBU6J-E3/45
仓库库存编号：
GBU6J-E3/45GI-ND
别名：GBU6J
GBU6J-E3/45-ND
GBU6J-E3/45GI
GBU6J-ND
GBU6J/45
GBU6J/45-ND
GBU6JE345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF8N50D-E3
仓库库存编号：
SIHF8N50D-E3-ND
别名：SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3CT-ND
SIHF8N50DE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP7LN80K5
仓库库存编号：
497-16497-5-ND
别名：497-16497-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R280CE
仓库库存编号：
IPW50R280CEIN-ND
别名：IPW50R280CEFKSA1
IPW50R280CEIN
SP000850804
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1208-E3/51
仓库库存编号：
BU1208-E3/51GI-ND
别名：BU1208-E3/51-ND
BU1208-E3/51GI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1206-E3/45
仓库库存编号：
BU1206-E3/45GI-ND
别名：BU1206-E3/45-ND
BU1206-E3/45GI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1208-E3/45
仓库库存编号：
BU1208-E3/45GIGI-ND
别名：BU1208-E3/45-ND
BU1208-E3/45GI
BU1208-E3/45GI-ND
BU1208-E3/45GIGI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP06N80C3
仓库库存编号：
SPP06N80C3IN-ND
别名：SP000013366
SP0000683154
SP000683154
SPP06N80C3IN
SPP06N80C3X
SPP06N80C3XK
SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XTIN
SPP06N80C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-220
型号：
AOT8N80L
仓库库存编号：
785-1434-5-ND
别名：785-1434-5
AOT8N80
AOT8N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP12N60M2
仓库库存编号：
497-16020-5-ND
别名：497-16020-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
273
274
275
276
277
278
279
280
281
282
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
