产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 98W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP9N30
仓库库存编号：
FQP9N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R280CEXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R280CEXKSA1-ND
别名：IPP50R280CE
IPP50R280CEIN
IPP50R280CEIN-ND
SP000850810
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4B
仓库库存编号：
1242-1273-ND
别名：1242-1273
GBU4BGN
GBU4BGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4A
仓库库存编号：
1242-1224-ND
别名：1242-1224
GBU4AGN
GBU4AGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4G
仓库库存编号：
1242-1274-ND
别名：1242-1274
GBU4GGN
GBU4GGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 4A GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole GBL
型号：
GBL005
仓库库存编号：
1242-1220-ND
别名：1242-1220
GBL005GN
GBL005GN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 30V 8A TO-220
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 8A 25MHz 60W Through Hole TO-220-3
型号：
D45H2A
仓库库存编号：
D45H2A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TP2540N3-G
仓库库存编号：
TP2540N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP5N50D-E3
仓库库存编号：
SIHP5N50D-E3-ND
别名：SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG9N65CT
仓库库存编号：
DMG9N65CTDI-ND
别名：DMG9N65CTDI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 6A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole KBU
型号：
KBU6M
仓库库存编号：
1242-1282-ND
别名：1242-1282
KBU6MGN
KBU6MGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1006A-E3/45
仓库库存编号：
BU1006A-E3/45GI-ND
别名：BU1006A-E3/45-ND
BU1006A-E3/45GI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 1000V GPP GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBU
型号：
GBU4M-E3/51
仓库库存编号：
GBU4M-E3/51-ND
别名：GBU4ME351
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N80C3
仓库库存编号：
SPP04N80C3IN-ND
别名：SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600P6
仓库库存编号：
IPA60R600P6-ND
别名：IPA60R600P6XKSA1
SP001017070
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRLS3813TRLPBF
仓库库存编号：
IRLS3813TRLPBFCT-ND
别名：IRLS3813TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
型号：
GBU6B
仓库库存编号：
1242-1275-ND
别名：1242-1275
GBU6BGN
GBU6BGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
型号：
GBU6J
仓库库存编号：
1242-1276-ND
别名：1242-1276
GBU6JGN
GBU6JGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 8A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8G
仓库库存编号：
GBU8GFS-ND
别名：GBU8GFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 8A 600V GPP INLINE GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8J-E3/51
仓库库存编号：
GBU8J-E3/51GI-ND
别名：GBU8J-E3/51-ND
GBU8J-E3/51GI
GBU8JE351
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF11N40C
仓库库存编号：
FQPF11N40CFS-ND
别名：FQPF11N40C-ND
FQPF11N40CFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 10A 25W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 10A 25W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF7NC60HD
仓库库存编号：
497-4354-5-ND
别名：497-4354-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N40CF
仓库库存编号：
FQP6N40CF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 8A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8B
仓库库存编号：
1242-1277-ND
别名：1242-1277
GBU8BGN
GBU8BGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 8A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8G
仓库库存编号：
1242-1279-ND
别名：1242-1279
GBU8GGN
GBU8GGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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