产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT10021JLL
仓库库存编号：
APT10021JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
型号：
CSD25202W15T
仓库库存编号：
296-37964-1-ND
别名：296-37964-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17577Q5AT
仓库库存编号：
296-38337-1-ND
别名：296-38337-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
BD676AG
仓库库存编号：
BD676AGOS-ND
别名：BD676AG-ND
BD676AGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 1.5A TO-252AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
型号：
BD138G
仓库库存编号：
BD138GOS-ND
别名：BD138G-ND
BD138GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
BD676G
仓库库存编号：
BD676GOS-ND
别名：BD676G-ND
BD676GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 1A DB
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB
型号：
DB103G
仓库库存编号：
1242-1210-ND
别名：1242-1210
DB103GGN
DB103GGN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 10-Picostar (3.37x1.47)
型号：
CSD87501LT
仓库库存编号：
296-38677-1-ND
别名：296-38677-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 6A 50V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole GBU
型号：
GBU6A-BP
仓库库存编号：
GBU6A-BPMS-ND
别名：GBU6A-BPMS
GBU6ABP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMN2A02N8TA
仓库库存编号：
ZXMN2A02N8CT-ND
别名：ZXMN2A02N8CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.8W（Ta），108W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17575Q3T
仓库库存编号：
296-37961-1-ND
别名：296-37961-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R1K4C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R1K4C6XKSA1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 8A 100V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8B-BP
仓库库存编号：
GBU8B-BPMS-ND
别名：GBU8B-BPMS
GBU8BBP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 8A 50V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8A-BP
仓库库存编号：
GBU8A-BPMS-ND
别名：GBU8A-BPMS
GBU8ABP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF05N50ZG
仓库库存编号：
NDF05N50ZGOS-ND
别名：NDF05N50ZG-ND
NDF05N50ZGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU01N60C3
仓库库存编号：
SPU01N60C3IN-ND
别名：SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3BKMA1
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU02N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU02N60C3BKMA1-ND
别名：Q67040S4659
SP000015064
SPU02N60C3
SPU02N60C3-ND
SPU02N60C3X
SPU02N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP02N80C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP02N80C3XKSA1-ND
别名：SP000683150
SPP02N80C3
SPP02N80C3IN
SPP02N80C3IN-ND
SPP02N80C3X
SPP02N80C3XK
SPP02N80C3XTIN
SPP02N80C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 192W（Tc） TO-220
型号：
AOT9N50
仓库库存编号：
785-1172-5-ND
别名：785-1172-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50R380CE
仓库库存编号：
IPP50R380CE-ND
别名：IPP50R380CEXKSA1
SP000850818
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） TO-220
型号：
STP3LN80K5
仓库库存编号：
497-17293-ND
别名：497-17293
STP3LN80K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA02N80C3
仓库库存编号：
SPA02N80C3IN-ND
别名：SP000216295
SPA02N80C3IN
SPA02N80C3XK
SPA02N80C3XKSA1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 65W TO220
详细描述：IGBT 600V 15A 65W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP8NC60KD
仓库库存编号：
497-7481-5-ND
别名：497-7481-5
STGP8NC60KD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 10A Through Hole GBJ
型号：
GBJ10005-BP
仓库库存编号：
GBJ10005-BPMS-ND
别名：GBJ10005-BPMS
GBJ10005BP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 4A 800V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL408-G
仓库库存编号：
641-1684-ND
别名：641-1684
KBL408-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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