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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN55N50
  仓库库存编号：IXFN55N50-ND
  别名：470724
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT01AH
  仓库库存编号：MAT01AH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 115A 500W C3 SOT-227
  详细描述：IGBT Module Single 900V 115A 500W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN80N90C3H1
  仓库库存编号：IXYN80N90C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 50A 250W TO247
  详细描述：IGBT 3000V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH20N300
  仓库库存编号：IXBH20N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT70GR120JD60
  仓库库存编号：APT70GR120JD60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 50A 250W TO268
  详细描述：IGBT 3000V 50A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT20N300HV
  仓库库存编号：IXBT20N300HV-ND
  别名：Q7867913
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8020JLL
  仓库库存编号：APT8020JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 215A 625W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT150GN120J
  仓库库存编号：APT150GN120J-ND
  别名：APT150GN120JMI
  APT150GN120JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT85GR120JD60
  仓库库存编号：APT85GR120JD60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JLL
  仓库库存编号：APT50M65JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module Single 1200V 134A 690W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN100N120C3H1
  仓库库存编号：IXYN100N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
  详细描述：IGBT 3000V 26A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF12N300
  仓库库存编号：IXBF12N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 46A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN46N50L
  仓库库存编号：IXTN46N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXTB62N50L
  仓库库存编号：IXTB62N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60Q3
  仓库库存编号：IXFN82N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N60
  仓库库存编号：IXFN60N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JFLL
  仓库库存编号：APT60M75JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 60W（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M80J
  仓库库存编号：APT58M80J-ND
  别名：APT58M80JMI
  APT58M80JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 200A 1040W TO264
  详细描述：IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole TO-264
  
  型号：IXBK75N170
  仓库库存编号：IXBK75N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 215A 625W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT150GN120JDQ4
  仓库库存编号：APT150GN120JDQ4-ND
  
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  IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF50N360
  仓库库存编号：IXBF50N360-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 57A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT53F80J
  仓库库存编号：APT53F80J-ND
  
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  IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
  详细描述：IGBT 3000V 40A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF32N300
  仓库库存编号：IXBF32N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M38JLL
  仓库库存编号：APT50M38JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M60JFLL
  仓库库存编号：APT60M60JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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