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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N20
  仓库库存编号：IXFX120N20-ND
  别名：IFX120N20
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT5010LFLLG
  仓库库存编号：APT5010LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT29F100B2
  仓库库存编号：APT29F100B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 100A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT45GP120BG
  仓库库存编号：APT45GP120BG-ND
  别名：APT45GP120BGMI
  APT45GP120BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT24M120L
  仓库库存编号：APT24M120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N60P
  仓库库存编号：IXFN48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N60
  仓库库存编号：IXFX44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 170A 695W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK100N60C3H1
  仓库库存编号：IXXK100N60C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 73A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN73N30
  仓库库存编号：IXFN73N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK34N80
  仓库库存编号：IXFK34N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 390W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT36N90BC3G
  仓库库存编号：APT36N90BC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH1N200P3
  仓库库存编号：IXTH1N200P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP
  详细描述：IGBT Module Single 600V 100A 260W Chassis Mount ISOTOP
  
  型号：STGE50NC60WD
  仓库库存编号：497-8781-5-ND
  别名：497-8781-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N100Q3
  仓库库存编号：IXFK32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N60P
  仓库库存编号：IXFN64N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
  详细描述：IGBT 1600V 33A 350W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH40N160
  仓库库存编号：IXBH40N160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 148A 500W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GT60JR
  仓库库存编号：APT100GT60JR-ND
  别名：APT100GT60JRMI
  APT100GT60JRMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N50Q3
  仓库库存编号：IXFR80N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 94A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT94N60L2C3G
  仓库库存编号：APT94N60L2C3G-ND
  别名：APT94N60L2C3GMI
  APT94N60L2C3GMI-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK110N20L2
  仓库库存编号：IXTK110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 245A 960W TMAX
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
  
  型号：APT100GN120B2G
  仓库库存编号：APT100GN120B2G-ND
  别名：APT100GN120B2GMI
  APT100GN120B2GMI-ND
  
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  IGBT 200A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 595W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN120N60A3D1
  仓库库存编号：IXGN120N60A3D1-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39F60J
  仓库库存编号：APT39F60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N60
  仓库库存编号：IXFN36N60-ND
  别名：460869
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GN120JDQ3
  仓库库存编号：APT75GN120JDQ3-ND
  别名：APT75GN120JDQ3MI
  APT75GN120JDQ3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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