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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M50L
  仓库库存编号：APT56M50L-ND
  别名：APT56M50LMI
  APT56M50LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 94A 379W TO264
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole
  
  型号：APT35GN120L2DQ2G
  仓库库存编号：APT35GN120L2DQ2G-ND
  别名：APT35GN120L2DQ2GMI
  APT35GN120L2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N50P
  仓库库存编号：IXFK64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N90P
  仓库库存编号：IXFH24N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N60P3
  仓库库存编号：IXFX80N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
  详细描述：IGBT 1700V 16A 150W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH16N170A
  仓库库存编号：IXBH16N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 98A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK98N50P3
  仓库库存编号：IXFK98N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 16A 150W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 16A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT16N170A
  仓库库存编号：IXBT16N170A-ND
  别名：Q2441898
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 25A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 200V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT20
  仓库库存编号：VS-26MT20GI-ND
  别名：*26MT20
  26MT20
  26MT20-ND
  VS-26MT20-ND
  VS-26MT20GI
  VS26MT20
  VS26MT20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH45N120
  仓库库存编号：IXGH45N120-ND
  别名：Q2124563
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX160N30T
  仓库库存编号：IXFX160N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX102N65X2
  仓库库存编号：IXTX102N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK102N65X2
  仓库库存编号：IXTK102N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT47N60SC3G
  仓库库存编号：APT47N60SC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N120P
  仓库库存编号：IXFH16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 94A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK94N50P2
  仓库库存编号：IXFK94N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
  详细描述：IGBT 2500V 5.5A 32W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT2N250
  仓库库存编号：IXGT2N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 40A I-PACK
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 600V 40A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII40-06D
  仓库库存编号：FII40-06D-ND
  别名：FII4006D
  Q2152322
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N60P
  仓库库存编号：IXFK64N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX94N50P2
  仓库库存编号：IXFX94N50P2-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1200V 25A D63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT120
  仓库库存编号：26MT120-ND
  别名：*26MT120
  26MT120
  VS-26MT120-ND
  VS26MT120
  VS26MT120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N100P
  仓库库存编号：IXFX32N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1600V 25A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT160
  仓库库存编号：26MT160-ND
  别名：*26MT160
  26MT160
  VS-26MT160-ND
  VS26MT160
  VS26MT160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 134A 543W TO264
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
  
  型号：APT50GN120L2DQ2G
  仓库库存编号：APT50GN120L2DQ2G-ND
  别名：APT50GN120L2DQ2GMI
  APT50GN120L2DQ2GMI-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK90N20Q
  仓库库存编号：IXFK90N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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