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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT25GN120SG
  仓库库存编号：APT25GN120SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH21N50
  仓库库存编号：IXFH21N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N80P
  仓库库存编号：IXFH24N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH21N50
  仓库库存编号：IXTH21N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 54A 347W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GT120BRDQ2G
  仓库库存编号：APT25GT120BRDQ2G-ND
  别名：APT25GT120BRDQ2GMI
  APT25GT120BRDQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 52A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT52N50P2
  仓库库存编号：IXFT52N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ88N30P
  仓库库存编号：IXTQ88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 94A 379W TO247
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT35GN120BG
  仓库库存编号：APT35GN120BG-ND
  别名：APT35GN120BGMI
  APT35GN120BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH18N90P
  仓库库存编号：IXFH18N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH88N30P
  仓库库存编号：IXTH88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH42UD-EP
  仓库库存编号：IRG7PH42UD-EP-ND
  别名：IRG7PH42UDEP
  SP001533730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD
  详细描述：IGBT 1200V 36A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH20N120C3D1
  仓库库存编号：IXYH20N120C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 135W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT1204R7BFLLG
  仓库库存编号：APT1204R7BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N60P3
  仓库库存编号：IXFX64N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR16P60P
  仓库库存编号：IXTR16P60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR48P20P
  仓库库存编号：IXTR48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 64A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N60P3
  仓库库存编号：IXFK64N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH42UDPBF
  仓库库存编号：IRG7PH42UDPBF-ND
  别名：SP001537274
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH40N30
  仓库库存编号：IXTH40N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N50L2
  仓库库存编号：IXTH30N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH64N65X
  仓库库存编号：IXTH64N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 6A 75W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 6A 75W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT6N170A
  仓库库存编号：IXGT6N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 800V 50A SCVB
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 50A QC Terminal SCVB
  
  型号：SC50VB80-G
  仓库库存编号：641-1392-ND
  别名：641-1392
  SC50VB80G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT42F50B
  仓库库存编号：APT42F50B-ND
  别名：APT42F50BMP
  APT42F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N90P
  仓库库存编号：IXFT24N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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