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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 800V 35A GBPC-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC3508A
  仓库库存编号：GBPC3508A-ND
  别名：*GBPC3508A
  GBPC3508A
  VS-GBPC3508A-ND
  VSGBPC3508A
  VSGBPC3508A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 1000V 35A GBPCA
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC3510A
  仓库库存编号：GBPC3510A-ND
  别名：*GBPC3510A
  GBPC3510A
  VS-GBPC3510A-ND
  VSGBPC3510A
  VSGBPC3510A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N50P3
  仓库库存编号：IXFH26N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N100D2
  仓库库存编号：IXTA6N100D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 180W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 40A 180W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH20N120A3
  仓库库存编号：IXGH20N120A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N50P
  仓库库存编号：IXFH30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N50D2
  仓库库存编号：IXTH6N50D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15886-5-ND
  别名：497-15886-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 150A 452W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 150A 452W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH75N60UFTU
  仓库库存编号：FGH75N60UFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N120
  仓库库存编号：IXFP3N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N50P2
  仓库库存编号：IXFH42N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB80A
  仓库库存编号：36MB80A-ND
  别名：*36MB80A
  36MB80A
  VS-36MB80A-ND
  VS36MB80A
  VS36MB80A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP15N50L2
  仓库库存编号：IXTP15N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36N50P
  仓库库存编号：IXTQ36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N60P3
  仓库库存编号：IXFH42N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60P3
  仓库库存编号：IXFQ50N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60P
  仓库库存编号：IXTH30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N50P
  仓库库存编号：IXFH36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT82N25P
  仓库库存编号：IXTT82N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT38N60BC6
  仓库库存编号：APT38N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1200V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB120A
  仓库库存编号：26MB120A-ND
  别名：*26MB120A
  26MB120A
  VS-26MB120A-ND
  VS26MB120A
  VS26MB120A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 42A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT42N50P2
  仓库库存编号：IXFT42N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH32N120A3
  仓库库存编号：IXGH32N120A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH15N50L2
  仓库库存编号：IXTH15N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N50P2
  仓库库存编号：IXFH52N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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