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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP15N40
  仓库库存编号：FDP15N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N100D2
  仓库库存编号：IXTP3N100D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N50D2
  仓库库存编号：IXTP3N50D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80Z
  仓库库存编号：FCPF400N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP13N50
  仓库库存编号：FQP13N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30FDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC30FDPBF-ND
  别名：*IRG4PC30FDPBF
  SP001541864
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP14N60P
  仓库库存编号：IXFP14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36N30P
  仓库库存编号：IXTQ36N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 15A 800V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1508W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1508W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1508W-E4/51-ND
  GBPC1508W-E4/51GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 15A 400V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1504W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1504W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1504W-E4/51-ND
  GBPC1504WE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP22N60P3
  仓库库存编号：IXFP22N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N100D2
  仓库库存编号：IXTA3N100D2-ND
  别名：623496
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ22N50P
  仓库库存编号：IXTQ22N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3508-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3508-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3508-E4/1
  GBPC3508-E4/1-ND
  GBPC3508-E4/1GI
  GBPC3508-E4/1GI-ND
  GBPC3508-E4/51GI
  GBPC3508E451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ460P2
  仓库库存编号：IXTQ460P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH22N50P
  仓库库存编号：IXFH22N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP36P15P
  仓库库存编号：IXTP36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP52P10P
  仓库库存编号：IXTP52P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 400V 25A GBPC-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC2504A
  仓库库存编号：GBPC2504A-ND
  别名：*GBPC2504A
  GBPC2504A
  VS-GBPC2504A-ND
  VSGBPC2504A
  VSGBPC2504A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44P15T
  仓库库存编号：IXTQ44P15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26N50P
  仓库库存编号：IXTQ26N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60E-GE3-ND
  别名：SIHP33N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT8M100B
  仓库库存编号：APT8M100B-ND
  别名：APT8M100BMI
  APT8M100BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW30NC60KD
  仓库库存编号：497-7485-5-ND
  别名：497-7485-5
  STGW30NC60KD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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