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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 2.0A D-38
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.2A Through Hole D-38
  
  型号：VS-1KAB20E
  仓库库存编号：VS-1KAB20EGI-ND
  别名：1KAB20E
  1KAB20E-ND
  VS-1KAB20E-ND
  VS1KAB20E
  VS1KAB20E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 8A 200V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.9A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8D-E3/51
  仓库库存编号：GBU8D-E3/51GI-ND
  别名：GBU8D-E3/51-ND
  GBU8DE351
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LCPBF
  仓库库存编号：IRF840LCPBF-ND
  别名：*IRF840LCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20SPBF
  仓库库存编号：IRFBF20SPBF-ND
  别名：*IRFBF20SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8J
  仓库库存编号：1242-1280-ND
  别名：1242-1280
  GBU8JGN
  GBU8JGN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP6N90C
  仓库库存编号：FQP6N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80C
  仓库库存编号：FQP7N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF55N06
  仓库库存编号：FDPF55N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF10N50FT
  仓库库存编号：FDPF10N50FT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 8A 800V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.9A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8K-E3/51
  仓库库存编号：GBU8K-E3/51GI-ND
  别名：GBU8K-E3/51-ND
  GBU8KE351
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP8N80C
  仓库库存编号：FQP8N80CFS-ND
  别名：FQP8N80C-ND
  FQP8N80CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8N80C
  仓库库存编号：FQPF8N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE CELL 400V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole KBU
  
  型号：KBU1004-G
  仓库库存编号：641-1358-ND
  别名：641-1358
  KBU1004G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 100V 1.5A D-38
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.2A Through Hole D-38
  
  型号：VS-1KAB10E
  仓库库存编号：VS-1KAB10EGI-ND
  别名：1KAB10E
  1KAB10E-ND
  VS-1KAB10E-ND
  VS-1KAB10EGI
  VS1KAB10E
  VS1KAB10E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.2A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1006-E3/45
  仓库库存编号：BU1006-E3/45GI-ND
  别名：BU1006-E3/45-ND
  BU1006-E3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 14A 75W TO220
  详细描述：IGBT 1200V 14A 75W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP3NC120HD
  仓库库存编号：497-15806-5-ND
  别名：497-15806-5
  STGP3NC120HD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 54mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0550N3-G
  仓库库存编号：VP0550N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 600V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6J-E3/51
  仓库库存编号：GBU6J-E3/51GI-ND
  别名：GBU6J-E3/51-ND
  GBU6JE351
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 400V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU804
  仓库库存编号：GBU804DI-ND
  别名：GBU804DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50FT
  仓库库存编号：FDPF5N50FT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640SPBF
  仓库库存编号：IRL640SPBF-ND
  别名：*IRL640SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40PBF
  仓库库存编号：IRFBC40PBF-ND
  别名：*IRFBC40PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90C
  仓库库存编号：FQPF6N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 10A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU1006
  仓库库存编号：GBU1006DI-ND
  别名：GBU1006-ND
  GBU1006DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 200V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2002-F
  仓库库存编号：GBJ2002-FDI-ND
  别名：GBJ2002-FDI
  GBJ2002F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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