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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 77A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT77N60JC3
  仓库库存编号：APT77N60JC3-ND
  别名：APT77N60JC3MI
  APT77N60JC3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 145A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227
  
  型号：IXFN150N65X2
  仓库库存编号：IXFN150N65X2-ND
  别名：632512
  IXFN150N65X2X
  IXFN150N65X2X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90N25L2
  仓库库存编号：IXTN90N25L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N100P
  仓库库存编号：IXFN38N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
  详细描述：IGBT 3600V 45A 230W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF20N360
  仓库库存编号：IXBF20N360-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3600V 70A TO-268HV
  详细描述：IGBT 3600V 70A 430W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT20N360HV
  仓库库存编号：IXBT20N360HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN70N60Q2
  仓库库存编号：IXFN70N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N20
  仓库库存编号：IXFN180N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1200W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N85X
  仓库库存编号：IXFN90N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50
  仓库库存编号：IXFN80N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 380W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL38N100Q2
  仓库库存编号：IXFL38N100Q2-ND
  别名：614235
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80
  仓库库存编号：IXFN44N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：BC807-25-TP
  仓库库存编号：BC807-25-TPMSCT-ND
  别名：BC807-25-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 12V 3A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 3A 150MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：FCX688BTA
  仓库库存编号：FCX688BCT-ND
  别名：FCX688BCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE RECT 1A 600V DBS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DBS
  
  型号：DB105S-G
  仓库库存编号：641-1673-5-ND
  别名：641-1673-1
  641-1673-1-ND
  641-1673-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R3K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R3K0CEBKMA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 1.9W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3A16N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3A16N8CT-ND
  别名：ZXMP3A16N8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 600V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF06MA-E3/45
  仓库库存编号：DF06MA-E3/45GI-ND
  别名：DF06MA-E3/45-ND
  DF06MAE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17579Q5AT
  仓库库存编号：296-41100-1-ND
  别名：296-41100-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 45V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD136G
  仓库库存编号：BD136GOS-ND
  别名：BD136GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 2A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF210-G
  仓库库存编号：641-1343-5-ND
  别名：641-1343-5
  DF210G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 100V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP201G-G
  仓库库存编号：641-1737-ND
  别名：641-1737
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  BRIGE RECTIFIER 2A 1000V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP210G-G
  仓库库存编号：641-1736-ND
  别名：641-1736
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE GPP 400V 2A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF204-G
  仓库库存编号：641-1341-5-ND
  别名：641-1341-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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