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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW21N90K5
  仓库库存编号：497-12873-5-ND
  别名：497-12873-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB100A
  仓库库存编号：36MB100A-ND
  别名：*36MB100A
  36MB100A
  VS-36MB100A-ND
  VS36MB100A
  VS36MB100A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24P20
  仓库库存编号：IXTH24P20-ND
  别名：Q1163049
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 125W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR48N60C3D1
  仓库库存编号：IXGR48N60C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH44N50P
  仓库库存编号：IXFH44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N50
  仓库库存编号：IXFH24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1600V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB160A
  仓库库存编号：VS-26MB160AGI-ND
  别名：*26MB160A
  26MB160A
  26MB160A-ND
  VS-26MB160A-ND
  VS-26MB160AGI
  VS26MB160A
  VS26MB160A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 78A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK78N50P3
  仓库库存编号：IXFK78N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1600V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB160A
  仓库库存编号：36MB160A-ND
  别名：*36MB160A
  36MB160A
  VS-36MB160A-ND
  VS36MB160A
  VS36MB160A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH02N250
  仓库库存编号：IXTH02N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N10
  仓库库存编号：IXTH75N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX100N65X2
  仓库库存编号：IXFX100N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 160A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK160N30T
  仓库库存编号：IXFK160N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT40N50L2
  仓库库存编号：IXTT40N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT100
  仓库库存编号：26MT100-ND
  别名：*26MT100
  26MT100
  VS-26MT100-ND
  VS26MT100
  VS26MT100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTA1N200P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 40A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT40DR160HJ
  仓库库存编号：APT40DR160HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 110A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N30P
  仓库库存编号：IXFN140N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 106A（Tc） 521W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN106N20
  仓库库存编号：IXFN106N20-ND
  别名：460915
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN40P50P
  仓库库存编号：IXTN40P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N50D
  仓库库存编号：IXTH20N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN120N20
  仓库库存编号：IXFN120N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G206NG
  仓库库存编号：NTP8G206NGOS-ND
  别名：NTP8G206NGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 300A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 300A 830W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN200N60B3
  仓库库存编号：IXGN200N60B3-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN26N90
  仓库库存编号：IXFN26N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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