产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92
型号:
LP0701N3-G
仓库库存编号:
LP0701N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 650mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
VP3203N3-G
仓库库存编号:
VP3203N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
型号:
GBU801
仓库库存编号:
GBU801DI-ND
别名:GBU801DI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2W(Ta),60W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8447L
仓库库存编号:
FDP8447L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9P25
仓库库存编号:
FQP9P25FS-ND
别名:FQP9P25-ND
FQP9P25FS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 6A 100V PB-6
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole PB-6
型号:
PB61-BP
仓库库存编号:
PB61-BPMS-ND
别名:PB61-BPMS
PB61BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840BPBF
仓库库存编号:
IRF840BPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610PBF
仓库库存编号:
IRF9610PBF-ND
别名:*IRF9610PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 220mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TN2640N3-G
仓库库存编号:
TN2640N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 6A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
型号:
GBU606
仓库库存编号:
GBU606DI-ND
别名:GBU606-ND
GBU606DI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole KBU
型号:
KBU8M
仓库库存编号:
1242-1284-ND
别名:1242-1284
KBU8MGN
KBU8MGN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740BPBF
仓库库存编号:
IRF740BPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole GBU
型号:
GBU8K
仓库库存编号:
GBU8KFS-ND
别名:GBU8KFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
BUZ11_NR4941
仓库库存编号:
BUZ11_NR4941-ND
别名:BUZ11NR4941
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220FP
型号:
MJF45H11G
仓库库存编号:
MJF45H11GOS-ND
别名:MJF45H11G-ND
MJF45H11GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECT BRIDGE CELL 1000V 10A KBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole KBU
型号:
KBU1010-G
仓库库存编号:
641-1359-ND
别名:641-1359
KBU1010G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole GBU
型号:
GBU8J
仓库库存编号:
GBU8JFS-ND
别名:GBU8JFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N50CF
仓库库存编号:
FQPF9N50CFFS-ND
别名:FQPF9N50CF-ND
FQPF9N50CFFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9P25
仓库库存编号:
FQPF9P25FS-ND
别名:FQPF9P25-ND
FQPF9P25FS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730APBF
仓库库存编号:
IRF730APBF-ND
别名:*IRF730APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50T
仓库库存编号:
FDPF12N50T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 100V 20A GBJ
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 20A Through Hole GBJ
型号:
GBJ2001-F
仓库库存编号:
GBJ2001-FDI-ND
别名:GBJ2001-FDI
GBJ2001F
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
IRLS640A
仓库库存编号:
IRLS640AFS-ND
别名:IRLS640A-ND
IRLS640AFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820APBF
仓库库存编号:
IRF820APBF-ND
别名:*IRF820APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY08N50D2
仓库库存编号:
IXTY08N50D2-ND
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