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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 37.2A（Tc） 2.2W（Ta）, 25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT6009LCT
  仓库库存编号：DMT6009LCTDI-5-ND
  别名：DMT6009LCTDI-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3P20
  仓库库存编号：FQP3P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 15A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 15A 50MHz 83W Through Hole TO-220AB
  
  型号：D45VH10G
  仓库库存编号：D45VH10GOS-ND
  别名：D45VH10GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3N30
  仓库库存编号：FQP3N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF620PBF
  仓库库存编号：IRF620PBF-ND
  别名：*IRF620PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD220PBF
  仓库库存编号：IRFD220PBF-ND
  别名：*IRFD220PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820PBF
  仓库库存编号：IRF820PBF-ND
  别名：*IRF820PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 6A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B
  仓库库存编号：GBU6BFS-ND
  别名：GBU6B-ND
  GBU6BFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N20C
  仓库库存编号：FQP19N20C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NK80Z
  仓库库存编号：497-4379-5-ND
  别名：497-4379-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU402
  仓库库存编号：GBU402-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 6A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6J
  仓库库存编号：GBU6JFS-ND
  别名：GBU6JFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18537NKCS
  仓库库存编号：296-36456-5-ND
  别名：296-36456-5
  CSD18537NKCS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL08-E3/45
  仓库库存编号：GBL08-E3/45GI-ND
  别名：GBL08-E3/45-ND
  GBL08E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF3860T
  仓库库存编号：FDPF3860T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N25C
  仓库库存编号：FQPF9N25C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 430mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0604N3-G
  仓库库存编号：TP0604N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN3205N3-G
  仓库库存编号：VN3205N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 400V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1504-BP
  仓库库存编号：GBJ1504-BPMS-ND
  别名：GBJ1504-BPMS
  GBJ1504BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 15A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU15M-BP
  仓库库存编号：GBU15M-BPMS-ND
  别名：GBU15M-BPMS
  GBU15MBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE RECT GPP 4A 400V RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS404GL-BP
  仓库库存编号：RS404GL-BPMS-ND
  别名：RS404GL-BPMS
  RS404GLBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE RECT GPP 4A 50V RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS401GL-BP
  仓库库存编号：RS401GL-BPMS-ND
  别名：RS401GL-BPMS
  RS401GLBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2540N5-G
  仓库库存编号：DN2540N5-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU601
  仓库库存编号：GBU601DI-ND
  别名：GBU601DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Ta），100A（Tc） 115W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18504KCS
  仓库库存编号：296-35578-5-ND
  别名：296-35578-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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