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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50P
  仓库库存编号：IXFN80N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 320A 735W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN320N60A3
  仓库库存编号：IXGN320N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N50P
  仓库库存编号：IXFN100N50P-ND
  别名：615236
  Q3394492
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN27N80
  仓库库存编号：IXFN27N80-ND
  别名：468185
  Q1653251
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
  详细描述：IGBT 2500V 55A 300W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXBX25N250
  仓库库存编号：IXBX25N250-ND
  别名：621487
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 56A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN56N90P
  仓库库存编号：IXFN56N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
  详细描述：IGBT 4000V 30A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF30N400
  仓库库存编号：IXGF30N400-ND
  别名：Q5897999
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
  详细描述：IGBT 3000V 130A 625W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXBX55N300
  仓库库存编号：IXBX55N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：BC807-40LT1G
  仓库库存编号：BC807-40LT1GOSCT-ND
  别名：BC807-40LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23
  
  型号：2N7002-TP
  仓库库存编号：2N7002-TPMSCT-ND
  别名：2N7002-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN2106N3-G
  仓库库存编号：TN2106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 3A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 90MHz 1W Through Hole TO-126-3
  
  型号：KSD882YS
  仓库库存编号：KSD882YS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 300V 0.1A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 100mA 150MHz 7W Through Hole TO-126-3
  
  型号：KSA1381ESTU
  仓库库存编号：KSA1381ESTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD139G
  仓库库存编号：BD139GOS-ND
  别名：BD139GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2104N3-G
  仓库库存编号：TP2104N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0106N3-G
  仓库库存编号：VN0106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W08G-E4/51
  仓库库存编号：2W08G-E4/51GI-ND
  别名：2W08G-E4/51-ND
  2W08G-E4/51GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 100V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W01G-E4/51
  仓库库存编号：W01G-E4/51GI-ND
  别名：W01G-E4/51GI
  W01G/1
  W01G/1GI
  W01G/1GI-ND
  W01GE451
  W01GGI
  W01GGI-ND
  W01M
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 41.7W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1N60
  仓库库存编号：785-1184-5-ND
  别名：785-1184-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88537NDT
  仓库库存编号：296-37795-1-ND
  别名：296-37795-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A 4W Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
  
  型号：CSD87381PT
  仓库库存编号：296-37751-1-ND
  别名：296-37751-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0606N3-G
  仓库库存编号：TN0606N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0106N3-G
  仓库库存编号：VP0106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B-BP
  仓库库存编号：GBU6B-BPMS-ND
  别名：GBU6B-BPMS
  GBU6BBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2110A
  仓库库存编号：ZVP2110A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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