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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 209A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 209A（Tc） 104W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRL7486MTRPBF
  仓库库存编号：IRL7486MTRPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSG0811NDATMA1
  仓库库存编号：BSG0811NDATMA1CT-ND
  别名：BSG0811NDATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 217A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF7480MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7480MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7480MTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8201TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8201TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8201TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042NE7NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC042NE7NS3 GCT
  BSC042NE7NS3 GCT-ND
  BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta） 3.5W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4201TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4201TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4201TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC037N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC037N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N10NSF GCT
  BSC100N10NSF GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N10NSGATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC016N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC016N06NS
  BSC016N06NS-ND
  BSC016N06NSATMA1CT
  BSC016N06NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 34A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30S-STRLP
  仓库库存编号：IRG4BC30S-STRLPCT-ND
  别名：IRG4BC30S-STRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC014N04LSIATMA1
  仓库库存编号：BSC014N04LSIATMA1CT-ND
  别名：BSC014N04LSIATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250E6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250E6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250E6XTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 22A 156W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 22A 156W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS10B60KDTRLP
  仓库库存编号：IRGS10B60KDTRLPCT-ND
  别名：IRGS10B60KDTRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC105N10LSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R225C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 25V 64A, 188A 31W, 63W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：IRFH4251DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4251DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4251DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF60DM206
  仓库库存编号：IRF60DM206CT-ND
  别名：IRF60DM206CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190CFD
  仓库库存编号：IPB65R190CFDCT-ND
  别名：IPB65R190CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 17A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R199CP
  IPI50R199CP-ND
  SP000523756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC036NE7NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC036NE7NS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC014N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC014N06NS
  BSC014N06NS-ND
  BSC014N06NSATMA1CT
  BSC014N06NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 89A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF7780MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7780MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7780MTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7185TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7185TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7185TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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