产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7304
仓库库存编号：
IRF7304-ND
别名：*IRF7304
SP001571450
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名：SPD08N50C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO303P H
仓库库存编号：
BSO303P HCT-ND
别名：BSO303P HCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7855TRPBF
仓库库存编号：
IRF7855TRPBFCT-ND
别名：IRF7855TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7458TRPBF
仓库库存编号：
IRF7458PBFCT-ND
别名：*IRF7458TRPBF
IRF7458PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8252TRPBF
仓库库存编号：
IRF8252TRPBFCT-ND
别名：IRF8252TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名：IPB60R380P6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC034N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC034N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC034N06NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC360N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GCT-ND
BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0911NDATMA1
仓库库存编号：
BSC0911NDATMA1CT-ND
别名：BSC0911NDATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7342QTR
仓库库存编号：
AUIRF7342QCT-ND
别名：AUIRF7342QCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC052N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8307TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8307TRPBFCT-ND
别名：IRFH8307TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRF40H210
仓库库存编号：
IRF40H210CT-ND
别名：IRF40H210CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS
仓库库存编号：
BSC009NE2LSCT-ND
别名：BSC009NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R420CFD
仓库库存编号：
IPB65R420CFDCT-ND
别名：IPB65R420CFDCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5IATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ31 H3045A
仓库库存编号：
BUZ31 H3045ACT-ND
别名：BUZ31 H3045ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 25.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030P03NS3 G
仓库库存编号：
BSC030P03NS3 GCT-ND
别名：BSC030P03NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC030N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 145A 31W, 50W Surface Mount PQFN (5x6)
型号：
IRFH4253DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4253DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4253DTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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