产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6201TRPBF
仓库库存编号:
IRF6201TRPBFCT-ND
别名:IRF6201TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ036NE2LS
仓库库存编号:
BSZ036NE2LSCT-ND
别名:BSZ036NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413TRPBF
仓库库存编号:
IRF7413PBFCT-ND
别名:*IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7907TRPBF
仓库库存编号:
IRF7907TRPBFCT-ND
别名:IRF7907TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807PBFCT-ND
别名:*IRF7807TRPBF
IRF7807PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7380TRPBF
仓库库存编号:
IRF7380TRPBFCT-ND
别名:IRF7380TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO211PNTMA1
仓库库存编号:
BSO211PINCT-ND
别名:BSO211PINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R950C6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NSI
仓库库存编号:
BSZ0902NSICT-ND
别名:BSZ0902NSICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),169A(Tc) 3.6W(Ta),96W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8311TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8311TRPBFCT-ND
别名:IRFH8311TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP300H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP300H6327XUSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 38W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ900N15NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名:IRFH7191TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1.6W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO203SP H
仓库库存编号:
BSO203SP HCT-ND
别名:BSO203SP HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ110N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7468TRPBF
仓库库存编号:
IRF7468PBFCT-ND
别名:*IRF7468TRPBF
IRF7468PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 33.8W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ42DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
别名:BSZ42DN25NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ22DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSZ22DN20NS3GCT-ND
别名:BSZ22DN20NS3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL014NTR
仓库库存编号:
AUIRLL014NTRCT-ND
别名:AUIRLL014NTRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7862TRPBF
仓库库存编号:
IRF7862TRPBFCT-ND
别名:IRF7862TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ042N04NS G
仓库库存编号:
BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSZ042N04NSGINCT
BSZ042N04NSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC032N04LSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7316GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7316GTRPBFCT-ND
别名:IRF7316GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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