产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ120P03NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8324TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8324TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8324TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名：IRFHM9391TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名：IRF7526D1TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD50R650CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 490mW Surface Mount DFN2020-6
型号：
PMDPB30XN,115
仓库库存编号：
1727-1328-1-ND
别名：1727-1328-1
568-10756-1
568-10756-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ060NE2LS
仓库库存编号：
BSZ060NE2LSCT-ND
别名：BSZ060NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9388TRPBF
仓库库存编号：
IRF9388TRPBFCT-ND
别名：IRF9388TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP322PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP322PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP322PH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP125H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP125H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名：IRFL4315TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8736TRPBF
仓库库存编号：
IRF8736TRPBFCT-ND
别名：IRF8736TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7306TR
仓库库存编号：
IRF7306TR-ND
别名：SP001551228
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号：
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名：BSZ110N06NS3GINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7104TRPBF
仓库库存编号：
IRF7104PBFCT-ND
别名：*IRF7104TRPBF
IRF7104PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R1K4C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7306TRPBF
仓库库存编号：
IRF7306PBFCT-ND
别名：*IRF7306TRPBF
IRF7306PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7403TRPBF
仓库库存编号：
IRF7403PBFCT-ND
别名：*IRF7403TRPBF
IRF7403PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
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MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4410DYTRPBF
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SI4410DYPBFCT-ND
别名：*SI4410DYTRPBF
SI4410DYPBFCT
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