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• Nexperia USA Inc.
  PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.65W（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB55ENEAX
  仓库库存编号：1727-2730-1-ND
  别名：1727-2730-1
  568-13294-1
  568-13294-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R1K4CEBTMA1CT
  IPD50R1K4CECT
  IPD50R1K4CECT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 400mW（Ta），8.3W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB120EPE
  仓库库存编号：1727-1472-1-ND
  别名：1727-1472-1
  568-10943-1
  568-10943-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0909NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0909NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
  BSC0909NSCT
  BSC0909NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 480mA（Ta） 350mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1000UN,315
  仓库库存编号：1727-5860-1-ND
  别名：1727-5860-1
  568-7439-1
  568-7439-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL014NTRPBF
  仓库库存编号：IRFL014NPBFCT-ND
  别名：*IRFL014NTRPBF
  IRFL014NPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLL2703TRPBFCT-ND
  别名：IRLL2703TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318SH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP318SH6327XTSA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta），33W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM8329TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8329TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8329TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9335TRPBF
  仓库库存编号：IRF9335TRPBFCT-ND
  别名：IRF9335TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7607TRPBF
  仓库库存编号：IRF7607TRPBFCT-ND
  别名：IRF7607TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7606TRPBF
  仓库库存编号：IRF7606TRPBFCT-ND
  别名：IRF7606TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7601TRPBF
  仓库库存编号：IRF7601TRPBFCT-ND
  别名：IRF7601TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
  
  型号：IRFHM8326TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8326TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8326TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6217TRPBF
  仓库库存编号：IRF6217TRPBFCT-ND
  别名：IRF6217TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL207SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL207SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL207SPH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ130N03MS G
  仓库库存编号：BSZ130N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ130N03MSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC886N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC886N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC886N03LS GCT
  BSC886N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
  别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH7134TRPBF
  仓库库存编号：IRLH7134TRPBFCT-ND
  别名：IRLH7134TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TRPBF
  仓库库存编号：IRF7201PBFCT-ND
  别名：*IRF7201TRPBF
  IRF7201PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 6-WLCSP（1.48x.98）
  
  型号：PMCM6501VPEZ
  仓库库存编号：1727-2689-1-ND
  别名：1727-2689-1
  568-13208-1
  568-13208-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8235TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8235TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8235TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9333TRPBF
  仓库库存编号：IRF9333TRPBFCT-ND
  别名：IRF9333TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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