产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 550mW(Ta), 6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN16XNEX
仓库库存编号:
1727-2696-1-ND
别名:1727-2696-1
568-13215-1
568-13215-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 360mW(Ta),5.68W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB350UPE
仓库库存编号:
1727-1473-1-ND
别名:1727-1473-1
568-10944-1
568-10944-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 330mA, 170mA 500mW Surface Mount SOT-666
型号:
NX1029X,115
仓库库存编号:
1727-1277-1-ND
别名:1727-1277-1
568-10494-1
568-10494-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50UPE,215
仓库库存编号:
1727-1377-1-ND
别名:1727-1377-1
568-10836-1
568-10836-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 870mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PMGD175XNEX
仓库库存编号:
1727-2695-1-ND
别名:1727-2695-1
568-13214-1
568-13214-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS9342TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2502GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2502GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2502GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 480mW(Ta), 1.2W(Tc) TO-236AB
型号:
PMV35EPER
仓库库存编号:
1727-2729-1-ND
别名:1727-2729-1
568-13293-1
568-13293-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS8342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS8342TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 220mA 500mW Surface Mount SOT-666
型号:
NX3008PBKV,115
仓库库存编号:
1727-1283-1-ND
别名:1727-1283-1
568-10502-1
568-10502-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 350mW(Ta),3.1W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
NX7002BKMBYL
仓库库存编号:
1727-2231-1-ND
别名:1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB290UNE,315
仓库库存编号:
1727-1378-1-ND
别名:1727-1378-1
568-10840-1
568-10840-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMCM4401UPE/NONE/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(0.78x0.78)
型号:
PMCM4401UPEZ
仓库库存编号:
568-13302-1-ND
别名:568-13302-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V WLCSP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.7A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(2x2)
型号:
PMCM4401VNEAZ
仓库库存编号:
1727-2686-1-ND
别名:1727-2686-1
568-13205-1
568-13205-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(2x2)
型号:
PMCM4401VPEZ
仓库库存编号:
1727-2687-1-ND
别名:1727-2687-1
568-13206-1
568-13206-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2
型号:
BB55502VH7912XTSA1
仓库库存编号:
BB55502VH7912XTSA1CT-ND
别名:BB55502VH7912XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2030TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2030TRPBFCT-ND
别名:IRLML2030TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta) 460mW(Ta), 6.94W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV25ENEAR
仓库库存编号:
1727-2528-1-ND
别名:1727-2528-1
568-12967-1
568-12967-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 480mW(Ta), 1.45W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV230ENEAR
仓库库存编号:
1727-2527-1-ND
别名:1727-2527-1
568-12966-1
568-12966-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PMGD780SN,115
仓库库存编号:
1727-3127-1-ND
别名:1727-3127-1
568-2369-1
568-2369-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(0.78x0.78)
型号:
PMCM440VNEZ
仓库库存编号:
1727-2274-1-ND
别名:1727-2274-1
568-12560-1
568-12560-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2244TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2244TRPBFCT-ND
别名:IRLML2244TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7422D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7422D2PBFCT-ND
别名:*IRF7422D2TRPBF
IRF7422D2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.2A(Ta) 550mW(Ta), 6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN30XPX
仓库库存编号:
1727-2699-1-ND
别名:1727-2699-1
568-13218-1
568-13218-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127H6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS127H6327XTSA2CT-ND
别名:BSS127H6327XTSA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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