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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA15N50L2
  仓库库存编号：IXTA15N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264
  
  型号：FQL40N50F
  仓库库存编号：FQL40N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 100V 500mA 40MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：FMMT417TD
  仓库库存编号：FMMT417TDCT-ND
  别名：FMMT417TD-ND
  FMMT417TDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R037P7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R037P7XKSA1-ND
  别名：SP001606064
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT56M50B2
  仓库库存编号：APT56M50B2-ND
  别名：APT56M50B2MI
  APT56M50B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60_F085
  仓库库存编号：FCH47N60_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60F_F085
  仓库库存编号：FCH041N60F_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N65F_F085
  仓库库存编号：FCH041N65F_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH041N65F_F155
  仓库库存编号：FCH041N65F_F155-ND
  别名：FCH041N65FF155
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 72.8A（Tc） 543W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH76N60NF
  仓库库存编号：FCH76N60NF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60F_F085
  仓库库存编号：FCH47N60F_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH041N65EF_F155
  仓库库存编号：FCH041N65EF_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 76A
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：FCH041N65EFL4
  仓库库存编号：FCH041N65EFL4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA3N120HV
  仓库库存编号：IXTA3N120HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX150N30P3
  仓库库存编号：IXFX150N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N50P
  仓库库存编号：IXFX80N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH085N80_F155
  仓库库存编号：FCH085N80_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH023N65S3L4
  仓库库存编号：FCH023N65S3L4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 56A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 500W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH060N80_F155
  仓库库存编号：FCH060N80_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK8N150L
  仓库库存编号：IXTK8N150L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  REVERSE CONDUCTING IGBT
  详细描述：IGBT NPT 3000V 38A 200W Surface Mount TO-263
  
  型号：IXBA14N300HV
  仓库库存编号：IXBA14N300HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6327XTSA1
  仓库库存编号：SN7002NH6327XTSA1CT-ND
  别名：SN7002NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
  
  型号：BB639CE7904HTSA1
  仓库库存编号：BB639CE7904HTSA1CT-ND
  别名：BB 639C E7904CT
  BB 639C E7904CT-ND
  BB639CE7904HTSA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD316SNL6327XT
  仓库库存编号：BSD316SNL6327XTCT-ND
  别名：BSD316SN L6327INCT
  BSD316SN L6327INCT-ND
  BSD316SNL6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR302NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR302NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSR302N L6327CT
  BSR302N L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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