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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 260W TO247
  详细描述：IGBT 600V 80A 260W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW40NC60V
  仓库库存编号：497-4358-5-ND
  别名：497-4358-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH25N60N
  仓库库存编号：FCH25N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 130A 340W TO247
  详细描述：IGBT 600V 130A 340W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA60NC60WDR
  仓库库存编号：497-12253-ND
  别名：497-12253
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 54A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH077N65F_F085
  仓库库存编号：FCH077N65F_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 50A 156W TO3P
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA50N100BNTD2
  仓库库存编号：FGA50N100BNTD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 360W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 360W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H65F
  仓库库存编号：497-12422-ND
  别名：497-12422
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 75A 463W TO247
  详细描述：IGBT PT 300V 75A 463W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH50N3
  仓库库存编号：FGH50N3-ND
  别名：FGH50N3_NL
  FGH50N3_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH070N60E
  仓库库存编号：FCH070N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60_F133
  仓库库存编号：FCH47N60_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP30B120KD-EP
  仓库库存编号：IRGP30B120KD-EP-ND
  别名：*IRGP30B120KD-EP
  63-6005PBF
  63-6005PBF-ND
  SP001532874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 360W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 360W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H65DF
  仓库库存编号：497-13105-5-ND
  别名：497-13105-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 312.5W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA35N60
  仓库库存编号：FCA35N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），160W（Tc） PowerFLAT?（8x8）
  
  型号：STL45N65M5
  仓库库存编号：497-13776-1-ND
  别名：497-13776-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60
  仓库库存编号：FCH072N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 44A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 312W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH067N65S3_F155
  仓库库存编号：FCH067N65S3_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF36N60NT
  仓库库存编号：FCPF36N60NT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-E3-ND
  别名：SIHG47N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB25N80K5
  仓库库存编号：497-13640-1-ND
  别名：497-13640-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 54A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） 481W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH077N65F_F155
  仓库库存编号：FCH077N65F_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N30Q
  仓库库存编号：IXFH40N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH12N120K5-2
  仓库库存编号：497-15425-1-ND
  别名：497-15425-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R037P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R037P7XKSA1-ND
  别名：SP001606060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 34.9A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA36N60NF
  仓库库存编号：FCA36N60NF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA64N10L2
  仓库库存编号：IXTA64N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA80N075L2
  仓库库存编号：IXTA80N075L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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